[發(fā)明專利]面蒸鍍?cè)醇捌渲谱鞣椒ā⒄翦兎椒ā⒄翦冄b置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810054822.6
• 申請(qǐng)日: 2018-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN110055498B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王路
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/28
• 分類號(hào): C23C14/28;C23C14/04;H01L51/56
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發(fā)明公開了一種面蒸鍍?cè)醇捌渲谱鞣椒ā⒄翦兎椒ā⒄翦冄b置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，所述面蒸鍍?cè)从糜谡翦兇翦儾牧?使其能夠經(jīng)過蒸鍍掩膜版的開口在器件基板上形成薄膜，包括襯底，在所述襯底上設(shè)置有隔離墻結(jié)構(gòu)，所述隔離墻結(jié)構(gòu)在所述襯底上形成多個(gè)相互分隔的第一凹槽；所述第一凹槽用于承載待蒸鍍材料；蒸鍍時(shí)，所述蒸鍍掩膜版的開口在所述襯底上的投影至少覆蓋一個(gè)所述第一凹槽在襯底上的投影。所述面蒸鍍?cè)茨軌驕p小蒸鍍掩膜版的開口區(qū)域外的陰影面積，有效提升蒸鍍的精度，降低不同像素間的混色問題，進(jìn)而減小像素尺寸，支撐更高分辨率的OLED顯示產(chǎn)品。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及面蒸鍍?cè)醇捌渲谱鞣椒ā⒄翦兎椒ā⒄翦冄b置。

背景技術(shù)

OLED(Organic Light Emitting Diode，有機(jī)電致發(fā)光二極管)顯示面板具有自發(fā)光、響應(yīng)速度快、輕薄、可制備柔性器件等優(yōu)點(diǎn)。

蒸鍍工藝是制備OLED顯示面板的關(guān)鍵工序，在高精細(xì)的像素蒸鍍中，會(huì)采用蒸鍍掩膜版作為遮擋，蒸鍍材料從蒸鍍掩膜版開口蒸鍍到對(duì)應(yīng)的像素位置上，但目前由于采用點(diǎn)源和線源的方式，蒸鍍?cè)磁c背板之間會(huì)產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，導(dǎo)致掩膜版后面會(huì)出現(xiàn)蒸鍍陰影區(qū)域，如果陰影區(qū)域過大，會(huì)導(dǎo)致像素的混色和色偏問題，為此減小陰影區(qū)域就可以有效提升蒸鍍的精度，進(jìn)而減小像素尺寸，支撐更高分辨率的OLED產(chǎn)品。

同時(shí)，蒸鍍裝置方面，由于蒸鍍?cè)磁c器件基板間要保持比較大的距離，蒸鍍裝置腔室很高大，加工困難，并導(dǎo)致設(shè)備昂貴，抽真空時(shí)間長，進(jìn)一步造成蒸鍍工藝時(shí)間長。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供面蒸鍍?cè)醇捌渲谱鞣椒ā⒄翦兎椒ā⒄翦冄b置，減小蒸鍍的陰影區(qū)域，減小蒸鍍裝置體積，提高生產(chǎn)效率。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種面蒸鍍?cè)矗糜谡翦兇翦儾牧?使其能夠經(jīng)過蒸鍍掩膜版的開口在器件基板上形成薄膜，其特征在于，包括：

襯底；

隔離墻結(jié)構(gòu)，所述隔離墻結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述襯底上；

其中，所述隔離墻結(jié)構(gòu)在所述襯底上形成多個(gè)相互分隔的第一凹槽；

所述第一凹槽用于承載待蒸鍍材料；

所述第一凹槽被配置為，蒸鍍時(shí)，所述蒸鍍掩膜版的開口在所述襯底上的投影至少覆蓋一個(gè)所述第一凹槽在襯底上的投影。

優(yōu)選的，所述蒸鍍掩膜版的開口在所述襯底上的投影覆蓋N個(gè)所述第一凹槽在襯底上的投影，其中，N為正整數(shù)。

進(jìn)一步的，至少部分所述第一凹槽在襯底上的投影與所述蒸鍍掩膜版的開口在所述襯底上的投影完全重合。

優(yōu)選的，所述隔離墻結(jié)構(gòu)的高度及所述第一凹槽的底面的特征尺寸為毫米或微米量級(jí)。

進(jìn)一步的，所述隔離墻結(jié)構(gòu)的高度大于或等于10微米。

優(yōu)選的，所述面蒸鍍?cè)窗ㄕ翦儏^(qū)和膜厚測(cè)試區(qū)；

所述蒸鍍區(qū)用于蒸鍍待蒸鍍材料至器件基板；

所述膜厚測(cè)試區(qū)用于形成檢測(cè)薄膜厚度所用的薄膜。

優(yōu)選的，所述襯底為透明的。

進(jìn)一步的，所述第一凹槽的底部還設(shè)置有金屬層；

所述金屬層的上表面到所述金屬層的下表面的最大距離小于等于1微米；

其中，所述金屬層的上表面為所述金屬層的遠(yuǎn)離所述第一凹槽的底面的表面；

所述金屬層的下表面為所述金屬層的與所述第一凹槽的底面相接觸的表面。

進(jìn)一步的，所述金屬層的上表面形成有表面微結(jié)構(gòu)；