[發(fā)明專利]面蒸鍍?cè)醇捌渲谱鞣椒ā⒄翦兎椒ā⒄翦冄b置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810054822.6
• 申請(qǐng)日: 2018-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN110055498B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王路
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/28
• 分類號(hào): C23C14/28;C23C14/04;H01L51/56
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種面蒸鍍?cè)矗糜谡翦兇翦儾牧?使其能夠經(jīng)過(guò)蒸鍍掩膜版的開口在器件基板上形成薄膜，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底為透明的；

隔離墻結(jié)構(gòu)，所述隔離墻結(jié)構(gòu)固定設(shè)置在所述襯底上；

其中，所述隔離墻結(jié)構(gòu)在所述襯底上形成多個(gè)相互分隔的第一凹槽；所述隔離墻結(jié)構(gòu)的高度及所述第一凹槽的底面的特征尺寸為小于等于10毫米大于等于0.1微米的尺寸范圍中的任一數(shù)值；所述第一凹槽用于承載待蒸鍍材料；所述第一凹槽被配置為，蒸鍍時(shí)，所述蒸鍍掩膜版的一個(gè)開口在所述襯底上的投影覆蓋N個(gè)所述第一凹槽在襯底上的投影，其中，N為正整數(shù)；

金屬層，所述金屬層設(shè)置在所述第一凹槽的底部；所述金屬層的上表面到所述金屬層的下表面的最大距離小于等于1微米；其中，所述金屬層的上表面為所述金屬層的遠(yuǎn)離所述第一凹槽的底面的表面；所述金屬層的下表面為所述金屬層的與所述第一凹槽的底面相接觸的表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢辽俨糠炙龅谝话疾墼谝r底上的投影與所述蒸鍍掩膜版的開口在所述襯底上的投影完全重合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟?所述隔離墻結(jié)構(gòu)的高度大于或等于10微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟?所述面蒸鍍?cè)窗ㄕ翦儏^(qū)和膜厚測(cè)試區(qū)；

所述蒸鍍區(qū)用于蒸鍍待蒸鍍材料至器件基板；

所述膜厚測(cè)試區(qū)用于形成檢測(cè)薄膜厚度所用的薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢鼋饘賹拥纳媳砻嫘纬捎斜砻嫖⒔Y(jié)構(gòu)；

所述金屬層與所述表面微結(jié)構(gòu)為一體結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的面蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢霰砻嫖⒔Y(jié)構(gòu)為柵格結(jié)構(gòu)；

所述柵格結(jié)構(gòu)包括在所述金屬層的上表面形成的多個(gè)第二凹槽；

所述第二凹槽的深度為0.5-0.6微米，所述第二凹槽的底面到所述金屬層的下表面的距離為0.4-0.5微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面蒸鍍?cè)矗涮卣髟谟冢鲆r底與所述隔離墻結(jié)構(gòu)為一體結(jié)構(gòu)。

8.一種面蒸鍍?cè)吹闹谱鞣椒ǎ雒嬲翦冊(cè)从糜谡翦兇翦儾牧?使其能夠經(jīng)過(guò)蒸鍍掩膜版的開口在器件基板上形成薄膜，其特征在于，包括：

提供一個(gè)襯底，所述襯底為透明的；

在所述襯底上形成隔離墻結(jié)構(gòu)；

其中，所述隔離墻結(jié)構(gòu)在所述襯底上形成多個(gè)相互分隔的第一凹槽；所述隔離墻結(jié)構(gòu)的高度及所述第一凹槽的底面的特征尺寸為小于等于10毫米大于等于0.1微米的尺寸范圍中的任一數(shù)值；所述第一凹槽用于承載待蒸鍍材料；所述第一凹槽被配置為，蒸鍍時(shí)，所述蒸鍍掩膜版的一個(gè)開口在所述襯底上的投影覆蓋N個(gè)所述第一凹槽在襯底上的投影，其中，N為正整數(shù)；

在所述第一凹槽的底部形成金屬層；所述金屬層的上表面到所述金屬層的下表面的最大距離小于等于1微米；其中，所述金屬層的上表面為所述金屬層的遠(yuǎn)離所述第一凹槽的底面的表面；所述金屬層的下表面為所述金屬層的與所述第一凹槽的底面相接觸的表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種面蒸鍍?cè)吹闹谱鞣椒ǎ涮卣髟谟冢€包括：

刻蝕所述金屬層的上表面形成表面微結(jié)構(gòu)；

其中，所述金屬層的上表面為所述金屬層的遠(yuǎn)離所述第一凹槽的底面的表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種面蒸鍍?cè)吹闹谱鞣椒ǎ涮卣髟谟冢涛g所述金屬層的上表面的方法為干法刻蝕。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種面蒸鍍?cè)吹闹谱鞣椒ǎ涮卣髟谟冢?/p>

在所述襯底上形成所述隔離墻結(jié)構(gòu)的方法為刻蝕所述襯底形成所述隔離墻結(jié)構(gòu)；

或者，在所述襯底上形成所述隔離墻結(jié)構(gòu)的方法為在所述襯底上沉積隔離墻結(jié)構(gòu)材料，刻蝕所述隔離墻結(jié)構(gòu)材料形成所述隔離墻結(jié)構(gòu)。