[發明專利]一種顯示基板及其制造方法、顯示器件

有效

• 申請號: 201810054626.9
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108346668B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 秦旭;張露;韓珍珍;胡思明;朱暉
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本發明提供一種顯示基板及其制造方法、顯示器件。本發明提供的顯示基板包括第二導電層，所述第二導電層包括形成于至少一個所述柵極區上表面且與該柵極區電性連接的極板區。極板區正投影與半導體層的導電區有重疊部分，處于該部分的極板區的邊緣下方為導電區，其不正對半導體層的溝道區與導電區的交界面處。同時，極板區與柵極區電性連接，所以當施加柵極電壓時，上述極板區的邊緣為柵極電壓引起的電場的邊緣。因此可有效減少柵極電壓的強電場邊緣誘導溝道區與導電區的交界面處產生的熱載流子數量，降低熱載流子效應，提高顯示器件性能。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示基板及其制造方法、顯示器件。

背景技術

隨著顯示技術的不斷發展，各種顯示器件被廣泛應用至各手機、電腦、電視等領域。顯示器件的顯示基板包括半導體層、柵絕緣層、柵極層等，所述半導體層、柵絕緣層、柵極層共同形成驅動電路的各薄膜晶體管。顯示基板制造過程中，將部分半導體層進行離子摻雜，形成源極區、漏極區以及導電溝道區。導電溝道區未進行離子摻雜，導電能力弱；源極區與漏極區進行重摻雜，導電能力強，屬于導電區。弱導電能力的導電溝道區與強導電能力的源/漏極區的交界面處具有結結構，此處在強電場作用下容易產生熱載流子。

現有技術在通常以柵極為掩膜，對半導體層進行離子摻雜。所以，現有顯示基板的柵極邊緣正對導電溝道區與源/漏極區的交界面處。而施加柵極電壓時，柵極電壓引起的電場邊緣位于柵極邊緣，此處電場相對較高，因此容易誘導導電溝道區與源/漏極區的交界面處產生熱載流子。高能量的熱載流子注入柵絕緣層，注入的過程中會產生界面態和陷落電荷，造成柵絕緣層的損傷。隨著損傷程度的增加，顯示器件的電流電壓特性就會發生改變。當器件參數改變超過一定限度后，器件就會失效。

發明內容

本發明的目的是為了解決上述問題，降低熱載流子效應，提供一種顯示基板及其制造方法。

本發明還提供一種顯示器件。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

一種顯示基板，包括：

基底；

半導體層，形成于所述基板上表面，包括溝道區與導電區；

柵絕緣層，形成于所述半導體層以及未被半導體層覆蓋的基底上表面；

第一導電層，形成于所述柵絕緣層上表面，包括正投影與所述溝道區有重疊部分的若干柵極區；

第二導電層，所述第二導電層包括極板區；所述極板區形成于至少一個所述柵極區上表面且與該柵極區電性連接，其正投影與所述導電區有重疊部分。

進一步地，所述柵極區正投影邊緣完全位于該柵極區上表面的極板區內部。

進一步地，所述第二導電層與所述第一導電層之間形成第一絕緣層，所述第一絕緣層內形成第一通孔，所述極板區與所述柵極區通過所述第一通孔電性連接。

進一步地，所述第一導電層、柵絕緣層以及半導體層形成若干薄膜晶體管，所述若干薄膜晶體管包括驅動晶體管，所述極板區形成于所述驅動晶體管的柵極區上表面。

進一步地，所述第一絕緣層以及柵絕緣層內形成第二通孔，所述極板區包括形成有效存儲電容的電容區以及連接電容區的非電容區，所述非電容區通過所述第二通孔與所述導電區電性連接。

進一步地，所述第二導電層還包括與所述極板區相互分隔的非極板區，所述第一絕緣層以及柵絕緣層內形成第三通孔，所述非極板區通過所述第三通孔與所述導電區電性連接。

進一步地，所述第一導電層與所述第二導電層材料不同，所述極板區與所述柵極區直接接觸。

進一步地，所述第一導電層材料為金屬，所述第二導電層材料為氧化銦錫。