[發(fā)明專利]一種自帶外部接線的OLED器件及其加工方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810053694.3 | 申請日: | 2018-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN110277511A | 公開(公告)日: | 2019-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金凌;劉紀文;周煒 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華美晨曦光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京華仲龍騰專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11548 | 代理人: | 李靜 |
| 地址: | 430223 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 外部接線 制備 金屬電極 良率 自帶 有機發(fā)光二極管 陰極 導(dǎo)電性 陽極 表面電阻 操作工藝 導(dǎo)電路徑 導(dǎo)電性能 連續(xù)制備 面板陽極 驅(qū)動電壓 外接線路 真空鍍膜 制作設(shè)備 可控性 刻蝕線 電極 襯底 焊錫 減小 接線 蒸鍍 加工 優(yōu)化 | ||
本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種自帶外部接線的OLED器件及其加工方法。利用真空鍍膜在襯底上制備OLED發(fā)光器件,又連續(xù)制備大面積OLED照明面板器件的陽極外接線路,面板陰極接線則利用ITO表面的刻蝕線以及ITO自身的導(dǎo)電性來實現(xiàn)。無需另設(shè)外部接線制作設(shè)備及流程,大大降低了OLED器件的制備成本,同時提高了制備良率。OLED器件的金屬電極優(yōu)化了面板陽極ITO表面與電極的導(dǎo)電路徑,減小了由于ITO表面電阻對驅(qū)動電壓的影響。在OLED器件上蒸鍍形成的外部接線及金屬電極,其線路的連接無需焊錫,具有更佳的導(dǎo)電性能。相比于現(xiàn)有外部接線方案,本發(fā)明的操作工藝步驟少,良率高,成本低,可控性強,易于實現(xiàn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管(OLED)照明技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及到一種自帶外部接線的OLED發(fā)光器件的加工方法。
背景技術(shù)
近來,有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)引起了科研界及產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。作為一種面光源,OLED具有可彎曲,環(huán)保,輕薄,低溫,低功耗以及護眼等優(yōu)點。換言之,OLED照明的應(yīng)用前景巨大,可望成為未來照明的主流。
目前,為了降低ITO表面電阻對大面積OLED照明面板發(fā)光性能的影響,在制備大面積(5*10cm2)的OLED照明面板的過程中,通常會通過FPC軟板的外部壓合線路或光刻網(wǎng)狀金屬輔助電極,以減小面板的功耗,提升面板的效率及面板發(fā)光的均勻性。這兩種方案,可以有效的降低ITO表面電阻對器件性能的影響,但是在制備過程中,網(wǎng)狀金屬輔助電極需要光刻設(shè)備,F(xiàn)PC線路板需要制備FPC線路板及壓合設(shè)備,從某種來說,這無疑大大增加了OLED照明器件的制備成本。其次,由于這兩種方案在制備加工中增加了OLED照明面板的制備工序,故對OLED照明面板的加工良率也會產(chǎn)生不利的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種自帶外部接線的OLED器件及其加工方法,以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明首先提供一種自帶外部接線的OLED器件的加工方法,包括步驟:
在ITO陽極層上靠近襯底某側(cè)邊的位置刻蝕一整條刻蝕線,所述刻蝕線的底部抵達襯底,使刻蝕線兩側(cè)的ITO導(dǎo)電層分離成第一ITO導(dǎo)電層塊和第二ITO導(dǎo)電層塊,所述第二ITO導(dǎo)電層塊位于襯底側(cè)邊;
將刻蝕后的ITO襯底固定于樣品架上,利用掩膜版遮擋,在所述第一 ITO導(dǎo)電層塊上選定的發(fā)光區(qū)域以及所述刻蝕線蒸鍍有機發(fā)光層。
利用掩膜版遮擋,在所述有機發(fā)光層上以及部分所述第二ITO導(dǎo)電層塊上蒸鍍金屬陰極層,所述襯底刻蝕線被有機層填充,可以有效將金屬Al 電極與第一ITO導(dǎo)電層隔開,防止OLED器件短路;其次,刻蝕區(qū)域缺乏器件陽極,故不發(fā)光。
利用掩膜版遮擋,在所述第一ITO導(dǎo)電層塊上除所述刻蝕線之外的沿周,蒸鍍出陽極外接線膜;
用封裝層將所述金屬陰極層、有機發(fā)光層和部分所述第一ITO導(dǎo)電層塊封裝,所述陽極外接線膜、部分所述第二ITO導(dǎo)電層塊在所述封裝層之外,即得到所述OLED器件。
優(yōu)選的,在ITO陽極層上刻蝕貫穿刻蝕線之前,將ITO襯底分別置于去離子水-乙醇-丙酮中超聲、O-zone處理,以獲得干凈的襯底。
優(yōu)選的,所述陽極外接線膜的蒸鍍金屬為Cu,Ag,Al,Au或Fe具有優(yōu)良導(dǎo)電性能的良導(dǎo)體。
優(yōu)選的,所述樣品架上設(shè)有掩膜版安裝槽和夾具,不同樣式的掩膜版通過所述安裝槽滑動安裝在所述樣品架上,所述夾具用于將掩膜版固定在所述樣品架上。使樣品在蒸鍍設(shè)備內(nèi)保持位置的條件下,只需更換不同的掩膜版,就可以進行不同蒸鍍層的蒸鍍。這樣,無需多次取出樣品,實現(xiàn)蒸鍍面積的精確控制。所述的樣品架操作簡單,既可應(yīng)用于實驗研發(fā),也可應(yīng)用于工業(yè)的量產(chǎn)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢華美晨曦光電有限責任公司,未經(jīng)武漢華美晨曦光電有限責任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810053694.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





