[發(fā)明專利]一種自帶外部接線的OLED器件及其加工方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810053694.3
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN110277511A
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金凌;劉紀(jì)文;周煒
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華美晨曦光電有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 北京華仲龍騰專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11548
• 代理人: 李靜

1.一種自帶外部接線的OLED器件的加工方法，其特征在于，包括步驟：

在ITO陽極層上靠近襯底某側(cè)邊的位置刻蝕一整條刻蝕線，所述刻蝕線的底部抵達(dá)襯底，使刻蝕線兩側(cè)的ITO導(dǎo)電層分離成第一ITO導(dǎo)電層塊和第二ITO導(dǎo)電層塊，所述第二ITO導(dǎo)電層塊位于襯底側(cè)邊；

將刻蝕后的ITO襯底固定于樣品架上，利用掩膜版遮擋，在所述第一ITO導(dǎo)電層塊上選定的發(fā)光區(qū)域以及所述刻蝕線內(nèi)蒸鍍有機(jī)發(fā)光層；

利用掩膜版遮擋，在所述有機(jī)發(fā)光層上以及部分所述第二ITO導(dǎo)電層塊上蒸鍍金屬陰極層；

利用掩膜版遮擋，在所述第一ITO導(dǎo)電層塊上除所述刻蝕線之外的沿周，蒸鍍出陽極外接線膜；

用有機(jī)樹脂封裝層將所述金屬陰極層、有機(jī)發(fā)光層和部分所述第一ITO導(dǎo)電層塊封裝，所述陽極外接線膜、部分所述第二ITO導(dǎo)電層塊在所述封裝層之外。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自帶外部接線的OLED器件的加工方法，其特征在于，在ITO陽極層上刻蝕貫穿刻蝕線之前，將ITO襯底分別置于去離子水-乙醇-丙酮中超聲、O-zone處理，以獲得干凈的襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自帶外部接線的OLED器件的加工方法，其特征在于，所述陽極外接線膜的蒸鍍金屬為Cu，Ag，Al，Au或Fe具有優(yōu)良導(dǎo)電性能的良導(dǎo)體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自帶外部接線的OLED器件的加工方法，其特征在于，所述樣品架上設(shè)有掩膜版安裝槽和夾具，不同樣式的掩膜版通過所述安裝槽滑動安裝在所述樣品架上，所述夾具用于將掩膜版固定在所述樣品架上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自帶外部接線的OLED器件的加工方法，其特征在于，所述樣品架上設(shè)有多個樣品蒸鍍窗口，用于一次性加工多個OLED器件樣品。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自帶外部接線的OLED器件的加工方法，其特征在于，所述大面積OLED照明面板在封裝過程中根據(jù)產(chǎn)品的規(guī)格需要設(shè)置陰極的外接電極的預(yù)留位置。

7.一種根據(jù)權(quán)利要求1制得的自帶外部接線的OLED器件，其特征在于，ITO陽極層上靠近襯底某側(cè)邊的位置刻蝕有一整條刻蝕線，所述刻蝕線的底部抵達(dá)襯底，刻蝕線兩側(cè)的ITO導(dǎo)電層分離成第一ITO導(dǎo)電層塊和第二ITO導(dǎo)電層塊，所述第二ITO導(dǎo)電層塊位于襯底側(cè)邊；

所述陽極外接線膜作為OLED器件陽極的外接接線；所述封裝層之外的部分第二ITO導(dǎo)電層塊由于具有導(dǎo)電性，作為連接OLED器件陰極的外部接線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的自帶外部接線的OLED器件，其特征在于，所述金屬陰極層的金屬為Al。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的自帶外部接線的OLED器件，其特征在于，所述陽極外接線膜的厚度為500-600nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的自帶外部接線的OLED器件，其特征在于，所述大面積OLED照明面板為柔性面板或玻璃面板，取決于器件的襯底材質(zhì)。