[發明專利]液晶顯示裝置及TFT陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201810053651.5
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108363252B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 外德仁;棚原學;園田武司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1335;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張娜;李榮勝

提供可確保像素電極與薄膜晶體管的漏極電極間的電連接性，且將用于連接兩者的接觸孔的面積縮小的液晶顯示裝置。液晶顯示裝置具有：TFT陣列基板，其具有在像素區域分別形成的薄膜晶體管(10)；以及相對基板，其具有在與像素區域相對應的區域分別形成有開口部的黑矩陣。TFT陣列基板具有：保護膜(102)，其形成于薄膜晶體管(10)的漏極電極(4)之上；接觸孔(5)，其形成于保護膜(102)，到達至漏極電極(4)；以及像素電極(6)，其形成于保護膜(102)之上，通過接觸孔(5)而與漏極電極(4)連接。接觸孔(5)的內壁具有在接觸孔(5)的周向排列且傾斜角度彼此不同的第1傾斜部(51)以及第2傾斜部(52)。

技術領域

本發明涉及液晶顯示裝置，特別是涉及用于提高像素的開口率的技術。

背景技術

隨著液晶顯示裝置(LCD：Liquid Crystal Display)的高精細化的發展，各個像素的尺寸變小，因此像素的開口率變低。如果使背光的輸出增大，則能夠彌補開口率的降低，但是會產生消耗電力增加這樣的問題。反過來說，像素的開口率的提高對于液晶顯示裝置的消耗電力的降低來說是有效的。

作為影響像素的開口率的要素，例如舉出掃描線以及信號線的寬度、像素電極與信號線的間隔、像素電極與掃描線的間隔、黑矩陣與像素電極的重疊寬度、薄膜晶體管(TFT：Thin Film Transistor)的各電極的面積、用于將薄膜晶體管的漏極電極和像素電極連接的接觸孔的面積等，如果能夠使上述要素縮小，則能夠提高像素的開口率。

例如在下述專利文獻1中提出了下述技術，即，與以往相比將薄膜晶體管的漏極電極變短，從而將光透過的部分增加，提高像素的開口率。

專利文獻1：日本特開2002-341385號公報

在專利文獻1的技術中，與將漏極電極縮短相應地，接觸孔形成為相對于漏極電極探出。在由接觸孔形成的階梯差部分會引起液晶取向的異常，因此接觸孔的形成區域需要通過相對基板的黑矩陣進行遮光。因此，從像素的開口率的觀點考慮，希望接觸孔的面積小。

作為將接觸孔的面積縮小的方法，想到將接觸孔的內壁設為垂直。但是，如果將接觸孔的內壁設為垂直，則有像素電極相對于接觸孔內壁的包覆性變低、像素電極與薄膜晶體管的漏極電極之間的電連接性降低的風險。

發明內容

本發明就是為了解決上述課題而提出的，提出一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置能夠確保像素電極與薄膜晶體管的漏極電極之間的電連接性，并且將用于連接兩者的接觸孔的面積縮小。

本發明涉及的液晶顯示裝置具有：TFT陣列基板，其具有在像素區域分別形成的薄膜晶體管；以及相對基板，其具有在與所述像素區域相對應的區域分別形成有開口部的黑矩陣，在該液晶顯示裝置中，所述TFT陣列基板具有：保護膜，其形成于所述薄膜晶體管的漏極電極之上；接觸孔，其形成于所述保護膜，到達至所述漏極電極；以及像素電極，其形成于所述保護膜之上，通過所述接觸孔而與漏極電極連接，所述接觸孔的內壁具有在所述接觸孔的周向排列且傾斜角度彼此不同的第1傾斜部以及第2傾斜部。

發明的效果

根據本發明，通過例如將接觸孔的內壁的傾斜角度小的部分設置在薄膜晶體管的漏極電極之上，從而能夠提高像素電極與漏極電極的電連接性。另外，例如，如果將接觸孔的內壁的傾斜角度大的部分設置在黑矩陣的開口部側的面，將接觸孔的面積縮小，則黑矩陣的面積也縮小，因此像素的開口率提高。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的單位像素的俯視圖。

圖2是圖1所示的TFT陣列基板的沿A1-A2線的剖視圖。

圖3是圖1所示的TFT陣列基板的沿B1-B2線的剖視圖。

圖4是本發明的實施方式涉及的TFT陣列基板的制造工序圖。