[發明專利]液晶顯示裝置及TFT陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201810053651.5
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108363252B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 外德仁;棚原學;園田武司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1335;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張娜;李榮勝

1.一種液晶顯示裝置，其具有：

TFT陣列基板，其具有在像素區域分別形成的薄膜晶體管；以及

相對基板，其具有在與所述像素區域相對應的區域分別形成有開口部的黑矩陣，

在該液晶顯示裝置中，

所述TFT陣列基板具有：

保護膜，其形成于所述薄膜晶體管的漏極電極之上；

接觸孔，其形成于所述保護膜，到達至所述漏極電極；以及

像素電極，其形成于所述保護膜之上，通過所述接觸孔而與所述漏極電極連接，所述像素電極在所述接觸孔內與所述漏極電極的上表面和側面接觸，

所述接觸孔的內壁具有在所述接觸孔的周向排列且傾斜角度彼此不同的第1傾斜部以及第2傾斜部，

所述接觸孔以在所述漏極電極的寬度方向的兩側探出的方式橫跨所述漏極電極而形成。

2.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，

所述第1傾斜部的傾斜角度大于或等于45°而小于或等于55°，

所述第2傾斜部的傾斜角度大于或等于80°而小于或等于90°。

3.根據權利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其中，

所述第2傾斜部的傾斜角度大于所述第1傾斜部的傾斜角度，

所述接觸孔被所述黑矩陣覆蓋，

所述第2傾斜部設置在所述接觸孔的內壁中的、位于所述黑矩陣的所述開口部側的面。

4.根據權利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其中，

所述第2傾斜部的傾斜角度大于所述第1傾斜部的傾斜角度，

所述接觸孔形成為一部分相對于所述漏極電極探出，

所述第1傾斜部形成于所述接觸孔的內壁中的位于所述漏極電極之上的面。

5.根據權利要求4所述的液晶顯示裝置，其中，

所述第2傾斜部的傾斜角度大于所述第1傾斜部的傾斜角度，

所述第2傾斜部形成于所述接觸孔的內壁中的位于相對于所述漏極電極探出的部分的面。

6.根據權利要求4所述的液晶顯示裝置，其中，

所述TFT陣列基板包括：

絕緣基板；

所述薄膜晶體管的柵極電極，其形成于所述絕緣基板之上；

所述薄膜晶體管的柵極絕緣膜，其形成于所述柵極電極之上；

所述薄膜晶體管的半導體層，其形成于所述柵極絕緣膜之上；以及

所述薄膜晶體管的源極電極以及所述漏極電極，它們形成于所述半導體層以及所述柵極絕緣膜之上，

所述接觸孔中的相對于所述漏極電極探出的部分將所述柵極絕緣膜貫通而到達至所述絕緣基板。

7.一種TFT陣列基板的制造方法，其具有下述工序：

(a)在絕緣基板之上形成薄膜晶體管的工序；

(b)在所述薄膜晶體管的漏極電極之上形成保護膜的工序；

(c)在所述保護膜之上形成光致抗蝕劑，使用具有接觸孔的圖案的光掩模對所述光致抗蝕劑進行曝光的工序；

(d)通過對曝光后的所述光致抗蝕劑進行顯影，從而形成在所述接觸孔的形成區域具有開口部的光致抗蝕劑圖案的工序；

(e)通過將所述光致抗蝕劑圖案作為掩模而對所述保護膜進行蝕刻，從而將到達至所述漏極電極的所述接觸孔形成于所述保護膜的工序；以及

(f)在所述保護膜之上形成通過所述接觸孔而與所述漏極電極連接的像素電極的工序，所述像素電極在所述接觸孔內與所述漏極電極的上表面和側面接觸，

在所述工序(c)中，所述光掩模所具有的所述接觸孔的圖案的輪廓的一部分成為灰度圖案，

在通過所述工序(d)形成的所述光致抗蝕劑圖案的所述開口部的內壁，通過所述灰度圖案而曝光的部分與其他部分相比平緩地傾斜，

在通過所述工序(e)形成的所述接觸孔的內壁，以與所述光致抗蝕劑圖案的所述開口部的內壁的傾斜角度相對應的方式形成傾斜角度彼此不同的第1傾斜部以及第2傾斜部，

在所述工序(e)中，所述接觸孔以在所述漏極電極的寬度方向的兩側探出的方式橫跨所述漏極電極而形成。