[發明專利]存儲裝置

有效

• 申請號: 201810053618.2
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN109524432B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發明（設計）人: 岡嶋睦
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10B63/00
• 分類號: H10B63/00;G11C7/10;G11C8/16;G11C13/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種存儲裝置，其特征在于具備：

第1字線群，包含多條字線，所述多條字線具有平行于第1方向及與所述第1方向正交的第2方向的平板形狀，且在與所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向上積層；

多條主位線，包含第1主位線，且在所述第2方向上伸長；

多個晶體管，包含第1晶體管及第2晶體管，所述第1晶體管及所述第2晶體管的每一個的所述第1方向的通道寬度寬于所述第1主位線的所述第1方向的寬度，且至少一部分設置在所述第1字線群的所述多條字線與所述多條主位線之間；

第1副位線群，包含多條副位線，所述多條副位線包含第1副位線及第2副位線，所述第1副位線與所述第1主位線之間隔著所述第1晶體管而電連接，所述第2副位線與所述第1主位線之間隔著所述第2晶體管而電連接，且與所述第1副位線相鄰，假想地連結所述第1副位線與所述第2副位線的線段與所述第2方向交叉，所述多條副位線在所述第3方向上伸長，與所述第1字線群的所述多條字線交叉，并且分別以中間隔著所述多個晶體管中的任一個的方式與所述多條主位線中的任一條電連接；以及

電阻變化層，設置在所述第1字線群的所述多條字線的每一條與所述第1副位線群的所述多條副位線的每一條之間。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：所述第1晶體管及所述第2晶體管的每一個的所述第1方向的通道寬度為所述第1主位線的所述第1方向的寬度的1.2倍以上。

3.根據權利要求1或2所述的存儲裝置，其特征在于：所述線段與所述第2方向之間的角度為15度以上。

4.根據權利要求1或2所述的存儲裝置，其特征在于還具備：第2字線群，包含多條字線，且在所述第2方向上與所述第1字線群隔開，所述多條字線具有平行于所述第1方向及所述第2方向的平板形狀，且在所述第3方向上積層；以及

第2副位線群，包含多條副位線，所述多條副位線在所述第3方向上伸長，與所述第2字線群的所述多條字線交叉，且分別以中間隔著所述多個晶體管中的任一個的方式與所述多條主位線中的任一條電連接；

所述多個晶體管具有第1晶體管群、第2晶體管群及位于所述第1晶體管群與所述第2晶體管群之間的第3晶體管群，

所述第1晶體管群中所包含的多個晶體管與所述第1副位線群的所述多條副位線電連接，所述第2晶體管群中所包含的多個晶體管與所述第2副位線群的所述多條副位線電連接，所述第3晶體管群中所包含的多個晶體管不與所述第1副位線群的所述多條副位線及所述第2副位線群的所述多條副位線中的任一條連接，

所述第1晶體管群、所述第2晶體管群及所述第3晶體管群中所包含的多個晶體管的所述第1方向的配置間距相同，所述第1晶體管群、所述第2晶體管群及所述第3晶體管群中所包含的多個晶體管的所述第2方向的配置間距相同。

5.一種存儲裝置，其特征在于具備：多條字線，具有平行于第1方向及與所述第1方向正交的第2方向的平板形狀，且在與所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向上積層；

第1主位線，在所述第2方向上伸長；

第2主位線，與所述第1主位線在所述第1方向上相鄰，且在所述第2方向上伸長；

第2副位線，在所述第3方向上伸長，與所述第1主位線電連接；

第3副位線，在所述第3方向上伸長，在所述第1方向上與所述第2副位線相鄰，且與所述第2主位線電連接；

第1副位線，在所述第3方向上伸長，在所述第1方向上位于所述第2副位線與所述第3副位線之間，在所述第2方向上設置在與所述第2副位線及所述第3副位線不同的位置，且與所述第1主位線電連接；

第1晶體管，設置在所述第1主位線與所述第1副位線之間，所述第1方向的通道寬度寬于所述第1主位線的所述第1方向的寬度；

第2晶體管，設置在所述第1主位線與所述第2副位線之間，所述第1方向的通道寬度寬于所述第1主位線的所述第1方向的寬度；

第3晶體管，設置在所述第2主位線與所述第3副位線之間，所述第1方向的通道寬度寬于所述第2主位線的所述第1方向的寬度；

第1電阻變化層，設置在所述字線與所述第1副位線之間；

第2電阻變化層，設置在所述字線與所述第2副位線之間；以及

第3電阻變化層，設置在所述字線與所述第3副位線之間。