[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810052484.2 | 申請(qǐng)日： | 2018-01-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109524389B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 筑山慧至;青木秀夫;后藤善秋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H10B80/00 | 分類號(hào)： | H10B80/00;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 楊林勳 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
實(shí)施方式提供一種能夠小型化的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備：襯底；金屬板，具有第1方向的第1寬度及與第1方向正交的第2方向的第2寬度；第1半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在金屬板與襯底之間，且具有第1方向的第3寬度與第2方向的第4寬度；以及第2半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在第1半導(dǎo)體芯片與襯底之間；且第1寬度小于第3寬度，第2寬度小于第4寬度。
[相關(guān)申請(qǐng)案]
本申請(qǐng)案享有以日本專利申請(qǐng)案2017-179329號(hào)(申請(qǐng)日：2017年9月19日)作為基礎(chǔ)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)案通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)案而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)案的全部?jī)?nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)
存在將多個(gè)半導(dǎo)體芯片積層并樹(shù)脂密封而成的半導(dǎo)體封裝。通過(guò)將多個(gè)半導(dǎo)體芯片積層并收納在一個(gè)半導(dǎo)體封裝中而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的大容量化、高速化、低耗電化。為了使搭載半導(dǎo)體封裝的電子設(shè)備小型化，要求使半導(dǎo)體封裝小型化。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠小型化的半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備：襯底；金屬板，具有第1方向的第1寬度及與所述第1方向正交的第2方向的第2寬度；第1半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述金屬板與所述襯底之間，且具有所述第1方向的第3寬度與所述第2方向的第4寬度；以及第2半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體芯片與所述襯底之間；且所述第1寬度小于所述第3寬度，所述第2寬度小于所述第4寬度。
附圖說(shuō)明
圖1(a)及(b)是第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖。
圖2是第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。
圖3是第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意側(cè)視圖。
圖4(a)及(b)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意圖。
圖5(a)及(b)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意圖。
圖6(a)及(b)是第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說(shuō)明圖。
圖7(a)及(b)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意圖。
圖8(a)及(b)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意圖。
圖9(a)及(b)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意圖。
圖10是比較例的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖。
圖11是比較例的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。
圖12是比較例的半導(dǎo)體裝置的示意側(cè)視圖。
圖13(a)及(b)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的作用及效果的圖。
圖14是第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。
圖15(a)及(b)是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意圖。
圖16是第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。
圖17是第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖。
圖18(a)及(b)是第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的作用及效果的說(shuō)明圖。
圖19是第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下，一邊參照附圖，一邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，在以下的說(shuō)明中，對(duì)于相同或類似的部件標(biāo)注相同的符號(hào)，針對(duì)已經(jīng)說(shuō)明過(guò)一次的部件等適當(dāng)省略其說(shuō)明。
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