[發明專利]存儲裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201810051194.6
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN109509755A
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 野島和弘;柴田惠美;梶野智規;塩川太郎
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L23/544
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 劉媛媛

實施方式提供一種可通過在線檢查檢測構造缺陷的存儲裝置及其制造方法。實施方式的存儲裝置具備：多個構成元件，包含三維配置的存儲單元；晶體管，與所述多個構成元件中的至少1個電連接；檢查焊盤，經由所述晶體管與所述多個構成元件中的至少1個串聯連接；及配線，與所述檢查焊盤及所述晶體管的柵極電連接，可對兩者供給共通電位以使所述晶體管為斷開狀態。

[相關申請]

本申請享有以日本專利申請2017-177003號(申請日：2017年9月14日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

實施方式涉及一種存儲裝置及其制造方法。

背景技術

包含三維配置的存儲單元的存儲裝置的開發正在推進。例如，NAND(Not AND，與非)型閃速存儲器器件具備積層在源極層之上的多條字線、及貫通多條字線而延伸的半導體通道。存儲單元配置在各字線與半導體通道交叉的部分。在這種存儲裝置中，難以檢測因制造條件變動引起的積層體內的構造缺陷。因此，在它的制造過程中，要求進行可實時檢測構造缺陷并向制造條件進行反饋的在線檢查。

發明內容

實施方式提供一種可通過在線檢查檢測構造缺陷的存儲裝置。

實施方式的存儲裝置具備：多個構成元件，包含三維配置的存儲單元；晶體管，與所述多個構成元件中的至少1個電連接；檢查焊盤，經由所述晶體管與所述多個構成元件中的至少1個串聯連接；及配線，與所述檢查焊盤及所述晶體管的柵極電連接，可對兩者供給共通電位以使所述晶體管為斷開狀態。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的存儲裝置的示意圖。

圖2是表示第1實施方式的存儲裝置的制造方法的流程圖。

圖3是表示第1實施方式的存儲裝置的存儲單元陣列的示意圖。

圖4是表示第1實施方式的存儲裝置的第1構成的示意圖。

圖5是表示第1實施方式的存儲裝置的第2構成的示意圖。

圖6(a)及(b)是表示第1實施方式的存儲裝置的第3構成的示意俯視圖。

圖7(a)及(b)是表示第1實施方式的存儲裝置的第3構成的示意剖視圖。

圖8(a)～(d)是表示第1實施方式的存儲裝置的第3構成的示意圖。

圖9是表示第2實施方式的存儲裝置的示意俯視圖。

圖10(a)～(c)是表示第2實施方式的存儲裝置的構造的示意圖。

圖11(a)～(d)是表示第2實施方式的存儲裝置的檢查方法的示意圖。

圖12(a)及(b)是表示比較例的存儲裝置的檢查方法的示意圖。

圖13是表示第2實施方式的變化例的存儲裝置的示意俯視圖。

圖14(a)及(b)是表示第3實施方式的存儲裝置的示意圖。

圖15是表示第3實施方式的存儲裝置的示意俯視圖。

圖16(a)及(b)是表示第3實施方式的變化例的存儲裝置的示意圖。

圖17(a)及(b)是表示第3實施方式的變化例的存儲裝置的另一示意圖。

具體實施方式