[發明專利]存儲裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201810051194.6
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN109509755A
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 野島和弘;柴田惠美;梶野智規;塩川太郎
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L23/544
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 劉媛媛

1.一種存儲裝置，其特征在于具備：

多個構成元件，包含三維配置的存儲單元；

晶體管，與所述多個構成元件中的至少1個電連接；

檢查焊盤，經由所述晶體管與所述多個構成元件中的至少1個串聯連接；及

配線，與所述檢查焊盤及所述晶體管的柵極電連接，可對兩者供給共通電位以使所述晶體管為斷開狀態。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：所述檢查焊盤設置在較所述多個構成元件更上層的配線層中。

3.根據權利要求1或2所述的存儲裝置，其特征在于：所述配線設置在較所述檢查焊盤更上層的配線層中。

4.根據權利要求1或2所述的存儲裝置，其特征在于：

還包含設置著所述多個構成元件的襯底，且

所述檢查焊盤及所述晶體管的柵極經由所述配線與所述襯底電連接。

5.根據權利要求1或2所述的存儲裝置，其特征在于：

還具備柵極焊盤，所述柵極焊盤與所述檢查焊盤設置在同一配線層中，連接于所述晶體管的柵極，且

所述配線與所述柵極焊盤電連接。

6.一種存儲裝置的制造方法，其特征在于具備如下工序：

在襯底上形成包含三維配置的存儲單元的多個構成元件、與所述多個構成元件中的至少1個電連接的晶體管、及經由所述晶體管與所述多個構成元件中的至少1個串聯連接的檢查焊盤；

使所述晶體管為接通狀態，經由所述檢查焊盤檢查所述至少1個構成元件與其他構成元件之間的電連接的有無、或電流電壓特性；

在所述多個構成元件及所述檢查焊盤的上層形成配線層，所述配線層包含與所述檢查焊盤及所述晶體管的柵極電連接的配線；及

通過經由所述配線對所述檢查焊盤及所述晶體管的柵極供給特定的偏壓而使所述晶體管為斷開狀態，檢查所述存儲單元。

7.一種存儲裝置，其特征在于具有：

第1積層體，沿第1方向延伸，且包含沿與所述第1方向交叉的第2方向積層的多個第1電極層；及

半導體柱，沿所述第2方向貫通所述多個第1電極層而延伸；

所述多個第1電極層包含多個第1層、及位于在所述第2方向上相鄰的所述第1層之間的第2層，

所述多個第1層中的至少1個經由位于所述第1積層體上方的第1配線與襯底電連接，且

所述第2層中的至少1個經由第2配線與襯底電連接，所述第2配線設置在第2方向的高度與所述第1配線不同的位置。

8.根據權利要求7所述的存儲裝置，其特征在于：

所述第1積層體包含：第1區域，具有所述半導體柱；第2區域，從所述第1區域觀察時位于所述第1方向上，且供所述至少1個第1層與所述第1配線連接；及絕緣體，設置在所述第1區域與所述第2區域之間，將所述多個第1電極層分斷；且

所述第1區域及所述第2區域通過所述絕緣體而電絕緣。

9.根據權利要求7或8所述的存儲裝置，其特征在于：

具有包含所述第1配線的多條第1配線，

所述多個第1層共用所述第1配線，且經由所述第1配線與所述襯底電連接，且

所述第2層中的與所述至少1個不同的第2層連接于另一條第1配線。