[發明專利]用于形成石墨烯膜結構元件的方法和石墨烯膜結構元件

有效

• 申請號: 201810050293.2
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN108511601B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: G·魯爾;M·柯尼希
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L43/06
• 分類號: H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱;張鵬

一種用于形成石墨烯膜結構元件的方法(100)，包括：將石墨烯膜在石墨烯膜的松弛狀態中布置(110)在載體襯底的表面上。石墨烯膜延伸跨過具有在載體襯底的表面處的開口的凹槽。此外所述石墨烯膜被布置成石墨烯膜的第一部分被布置在載體襯底的表面處，并且石墨烯膜的第二部分被布置在凹槽的開口之上。此外所述方法(100)包括張緊(120)石墨烯膜的第二部分，以便將石墨烯膜的第二部分轉變到張緊狀態，從而石墨烯膜的第二部分在石墨烯膜結構元件的工作溫度范圍中持續地處于張緊狀態。

技術領域

示例涉及用于石墨烯膜結構元件的制造技術，并且尤其涉及用于形成石墨烯膜結構元件的方法、石墨烯膜結構元件、具有石墨烯膜結構元件的麥克風以及具有石墨烯膜結構元件的霍爾傳感器。

背景技術

石墨烯膜結構元件通常使用在微電子機械系統(MEMS)中。在這里能夠值得期望的是，張緊所使用的石墨烯膜結構元件的石墨烯膜。

從US 2013 0062104 A1中已知一種諧振結構和用于制造諧振結構的方法。該諧振結構包含襯底和至少一個空出部

從DE 10 2014 204 712 A1中已知一種MEMS聲學轉換器。此外已知具有石墨烯膜的麥克風。

發明內容

能夠存在對于經改善的石墨烯膜結構元件的方案的需求。

該需求能夠通過本發明的主題來覆蓋。

一些示例涉及用于形成石墨烯膜結構元件的方法。所述方法包括：將石墨烯膜在石墨烯膜的松弛狀態下布置在載體襯底的表面上。石墨烯膜延伸跨過具有在載體襯底的表面處的開口的凹槽。此外所述石墨烯膜被布置成：石墨烯膜的第一部分布置在載體襯底的表面處，并且石墨烯膜的第二部分布置在凹槽的開口之上。此外所述方法包括張緊石墨烯膜的第二部分，以便將石墨烯膜的第二部分轉變到張緊狀態，從而石墨烯膜的第二部分在石墨烯膜結構元件的工作溫度范圍中持續地處于張緊狀態。

一些示例涉及石墨烯膜結構元件。石墨烯膜結構元件包括具有凹槽的載體襯底，該凹槽具有在載體襯底的表面處的開口。此外，石墨烯膜結構元件包括布置在載體襯底的表面上的石墨烯膜。石墨烯膜延伸跨過載體襯底的凹槽。此外，所述石墨烯膜被布置成：石墨烯膜的第一部分布置在載體襯底的表面處，并且石墨烯膜的第二部分布置在凹槽的開口處。此外，石墨烯膜的第二部分在石墨烯膜結構元件的工作溫度范圍中持續地處于張緊狀態。

一些示例涉及具有石墨烯膜結構元件的麥克風。

一些示例涉及具有石墨烯膜結構元件的霍爾傳感器。

附圖說明

在下文參照所附的附圖更加詳細地闡釋實施例。圖示：

圖1是用于形成石墨烯膜結構元件的方法的流程圖；

圖2a至2c是用于形成石墨烯膜結構元件的示意的工藝流程；

圖3a和3b是用于形成另外的石墨烯膜結構元件的另外的示意的工藝流程；

圖4a至4c是用于形成另外的石墨烯膜結構元件的另外的示意的工藝流程；

圖5a至5c是用于形成另外的石墨烯膜結構元件的另外的示意的工藝流程；

圖6是另外的石墨烯膜結構元件的示意橫截面；

圖7是麥克風的示意橫截面；并且

圖8是霍爾傳感器的示意俯視圖。

具體實施方式

現在參照所附的附圖更加詳細地說明不同的實施例，在該附圖中展示了若干實施例。在圖中，為了清楚起見，線、層和/或區域的厚度尺寸可能被夸張展示。