[發明專利]一種調控鈣鈦礦型材料晶相轉變溫度的方法有效
| 申請號： | 201810048888.4 | 申請日： | 2018-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN108258123B | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發明（設計）人： | 陳銳;趙逢煥;龐國濤;王雄彬 | 申請（專利權）人： | 南方科技大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 調控 鈣鈦礦型 材料 轉變 溫度 方法 | ||
1.一種調控鈣鈦礦型材料晶相轉變溫度的方法，其特征在于，所述方法為：在金屬-鹵化物鈣鈦礦表面包覆厚度為5-30nm的氧化鋅納米層，然后對其進行激發，在金屬-鹵化物鈣鈦礦和氧化鋅的界面處產生電場。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬-鹵化物鈣鈦礦為甲胺鉛碘鈣鈦礦。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化鋅納米層的厚度為10-20nm。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述激發使其在界面處產生電場的方法為光照或導入電流。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，利用原子沉積法在金屬-鹵化物鈣鈦礦表面包覆氧化鋅層，所述方法為：將金屬-鹵化物鈣鈦礦置于容器中，通入鋅源和氧源后在其表面進行沉積，沉積結束后通入保護性氣體。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述鋅源為二乙基鋅或四乙酰丙酮絡鋅。
7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述氧源為氧等離子體或臭氧。
8.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述保護性氣體為氮氣、氬氣或氦氣中的任意一種或至少兩種的組合。
9.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述沉積為至少沉積一次，至氧化鋅納米層的厚度達到要求為止。
10.如權利要求1-9任一項所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
(1)將金屬-鹵化物鈣鈦礦置于容器中，通入鋅源和氧源，在其表面進行沉積，沉積結束后通入保護性氣體，至少沉積一次，至氧化鋅納米層的厚度為5-30nm為止；所述鋅源為二乙基鋅或四乙酰丙酮絡鋅，所述氧源為氧等離子體或臭氧，所述保護性氣體為氮氣、氬氣或氦氣中的任意一種或至少兩種的組合；
(2)利用光照或者導入電流的方式對步驟(1)得到的包覆氧化鋅納米層的金屬-鹵化物鈣鈦礦進行激發，使二者界面處產生電場。
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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