[發明專利]一種上電電壓檢測電路、電子器件以及物聯網設備

有效

• 申請號: 201810048419.2
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN110058140B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 朱愷;陳捷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;G01R19/165
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張振軍;吳敏

一種上電電壓檢測電路、電子器件以及物聯網設備，上電電壓檢測電路包括：檢測單元，適于檢測上電電壓，響應于上電電壓大于開啟電壓，其輸出端產生導通電壓；非電阻負載單元，其第一端和第二端之間的阻抗值由第一控制電壓控制，其串聯于上電電壓經由檢測單元至參考地的電通路；反饋控制單元，適于根據導通電壓產生第一控制電壓；其中，響應于上電電壓小于等于翻轉電壓，第一控制電壓控制所述阻抗值為第一阻抗，以使得導通電壓為第一邏輯電平；響應于上電電壓大于翻轉電壓，第一控制電壓控制所述阻抗值為大于第一阻抗的第二阻抗，以使得導通電壓為第二邏輯電平。采用上述方案可降低上電電壓檢測電路的功耗，并提高電路可靠性。

技術領域

本發明涉及電子電路設計領域，特別涉及一種上電電壓檢測電路、電子器件以及物聯網設備。

背景技術

在集成電路(Integrated Circuit，簡稱IC)中，通常需要對上電電壓進行檢測，尤其適用于IC工作在多供電模式下的情形，通過檢測可以確定IC處于哪一供電模式，以使得IC進行相應的操作。

在現有技術中，可以采用電壓比較器進行上電電壓的檢測，以確認其處于哪一供電電壓范圍；例如可以在電壓比較器的一個輸入端接入帶隙基準源產生的基準電壓，另一輸入端接入所述上電電壓，并通過電壓比較器的輸出邏輯判定所述上電電壓所處的供電電壓范圍。

然而，現有技術方案需要額外引入基準電壓，可能引入額外的電路可靠性問題，同時也需要額外付出更多的電路面積和功耗。與此同時，低功耗設計成為電子芯片和電子產品設計的主流。那么，在對上電電壓進行檢測時，提高檢測電路穩定性并兼顧檢測電路的低功耗需求是十分必要的。

發明內容

本發明解決的一個技術問題是如何在對上電電壓進行檢測時，提高檢測電路穩定性并兼顧檢測電路的低功耗需求。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種上電電壓檢測電路，所述上電電壓檢測電路包括：檢測單元，適于檢測電源端口接收的上電電壓，響應于所述上電電壓大于開啟電壓，所述檢測單元的輸出端產生導通電壓；非電阻負載單元，耦接所述檢測單元的輸出端，其控制端接入第一控制電壓，所述非電阻負載單元的第一端和第二端之間的阻抗值由所述第一控制電壓控制，所述非電阻負載單元串聯于所述上電電壓經由所述檢測單元至參考地的電通路上；反饋控制單元，適于根據所述導通電壓產生所述第一控制電壓；其中，響應于所述上電電壓小于等于翻轉電壓，所述第一控制電壓控制所述非電阻負載單元的第一端和第二端之間的阻抗值為第一阻抗，以使得所述導通電壓為第一邏輯電平，所述翻轉電壓大于所述開啟電壓；響應于所述上電電壓大于所述翻轉電壓，所述第一控制電壓控制所述非電阻負載單元的第一端和第二端之間的阻抗值為第二阻抗，以使得所述導通電壓為不同于所述第一邏輯電平的第二邏輯電平，所述第二阻抗大于所述第一阻抗。

可選地，所述檢測單元包括一個或者多個串聯的二極管。

可選地，所述非電阻負載單元包括：第一晶體管，其控制端接入所述第一控制電壓，其輸入端耦接所述檢測單元的輸出端，其輸出端直接或者間接地耦接所述參考地，響應于所述上電電壓小于等于所述翻轉電壓，所述第一控制電壓控制所述第一晶體管導通，響應于所述上電電壓大于所述翻轉電壓，所述第一控制電壓控制所述第一晶體管關斷。

可選地，所述第一晶體管為NMOS晶體管。

可選地，所述反饋控制單元包括：輸出邏輯子單元，其輸入端接入所述導通電壓，適于對所述導通電壓進行邏輯運算，以產生第二控制電壓；開關單元，其控制端接入所述第二控制電壓，其輸入端接入關聯電壓，其輸出端輸出所述第一控制電壓，所述關聯電壓與所述上電電壓相關聯，響應于所述上電電壓小于等于所述翻轉電壓，所述開關單元導通，以使得所述第一控制電壓等于所述關聯電壓，響應于所述上電電壓大于所述翻轉電壓，所述開關單元關斷。

可選地，所述輸出邏輯子單元包括：第一反相器，其輸入端接入所述導通電壓，其輸出端輸出所述第二控制電壓。