[發明專利]一種上電電壓檢測電路、電子器件以及物聯網設備

有效

• 申請號: 201810048419.2
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN110058140B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 朱愷;陳捷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;G01R19/165
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張振軍;吳敏

1.一種上電電壓檢測電路，其特征在于，包括：

檢測單元，適于檢測電源端口接收的上電電壓，響應于所述上電電壓大于開啟電壓，所述檢測單元的輸出端產生導通電壓；

非電阻負載單元，耦接所述檢測單元的輸出端，其控制端接入第一控制電壓，所述非電阻負載單元的第一端和第二端之間的阻抗值由所述第一控制電壓控制，所述非電阻負載單元串聯于所述上電電壓經由所述檢測單元至參考地的電通路上；

反饋控制單元，適于根據所述導通電壓產生所述第一控制電壓；

其中，響應于所述上電電壓小于等于翻轉電壓，所述第一控制電壓控制所述非電阻負載單元的第一端和第二端之間的阻抗值為第一阻抗，以使得所述導通電壓為第一邏輯電平，所述翻轉電壓大于所述開啟電壓；響應于所述上電電壓大于所述翻轉電壓，所述第一控制電壓控制所述非電阻負載單元的第一端和第二端之間的阻抗值為第二阻抗，以使得所述導通電壓為不同于所述第一邏輯電平的第二邏輯電平，所述第二阻抗大于所述第一阻抗。

2.根據權利要求1所述的上電電壓檢測電路，其特征在于，所述檢測單元包括一個或者多個串聯的二極管。

3.根據權利要求1所述的上電電壓檢測電路，其特征在于，所述非電阻負載單元包括：

第一晶體管，其控制端接入所述第一控制電壓，其輸入端耦接所述檢測單元的輸出端，其輸出端直接或者間接地耦接所述參考地，響應于所述上電電壓小于等于所述翻轉電壓，所述第一控制電壓控制所述第一晶體管導通，響應于所述上電電壓大于所述翻轉電壓，所述第一控制電壓控制所述第一晶體管關斷。

4.根據權利要求3所述的上電電壓檢測電路，其特征在于，所述第一晶體管為NMOS晶體管。

5.根據權利要求1所述的上電電壓檢測電路，其特征在于，所述反饋控制單元包括：

輸出邏輯子單元，其輸入端接入所述導通電壓，適于對所述導通電壓進行邏輯運算，以產生第二控制電壓；

開關單元，其控制端接入所述第二控制電壓，其輸入端接入關聯電壓，其輸出端輸出所述第一控制電壓，所述關聯電壓與所述上電電壓相關聯，響應于所述上電電壓小于等于所述翻轉電壓，所述開關單元導通，以使得所述第一控制電壓等于所述關聯電壓，響應于所述上電電壓大于所述翻轉電壓，所述開關單元關斷。

6.根據權利要求5所述的上電電壓檢測電路，其特征在于，所述輸出邏輯子單元包括：第一反相器，其輸入端接入所述導通電壓，其輸出端輸出所述第二控制電壓。

7.根據權利要求5所述的上電電壓檢測電路，其特征在于，所述輸出邏輯子單元包括：滯回比較器，其輸入端接入所述導通電壓，其輸出端輸出所述第二控制電壓，響應于所述上電電壓大于所述翻轉電壓，所述導通電壓大于所述滯回比較器的上限閾值電壓。

8.根據權利要求5所述的上電電壓檢測電路，其特征在于，所述開關單元包括：

第二晶體管，其控制端接入所述第二控制電壓，其輸入端接入所述關聯電壓；

第三晶體管，其控制端接入第三控制電壓，其輸入端耦接所述第二晶體管的輸出端，所述第三晶體管的輸出端直接或者間接地耦接所述參考地；

第二反相器，其輸入端接入所述第二控制電壓，其輸出端輸出所述第三控制電壓；

其中，響應于所述上電電壓小于等于所述翻轉電壓，所述第二晶體管導通，所述第三晶體管關斷，以使得所述開關單元導通；響應于所述上電電壓大于所述翻轉電壓，所述第二晶體管關斷，所述第三晶體管導通，所述開關單元關斷。

9.根據權利要求8所述的上電電壓檢測電路，其特征在于，還包括：

第一分壓電阻，其第一端接入所述上電電壓；

第二分壓電阻，其第一端耦接所述第一分壓電阻的第二端和所述第二晶體管的輸入端并輸入所述關聯電壓，所述第二分壓電阻的第二端耦接所述第三晶體管的輸出端。