[發(fā)明專(zhuān)利]LED芯片電極及其制作方法和LED芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810048297.7 | 申請(qǐng)日： | 2018-01-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108258095B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 袁章潔;李康 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/32 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 國(guó)省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 蒸鍍 金屬層 金屬層表面 制作 晶片 完全包覆 光刻膠 重復(fù) 申請(qǐng) | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種LED芯片電極及其制作方法和LED芯片，制作方法包括：提供GaN晶片并在GaN晶片上制作光刻膠；蒸鍍Cr金屬層；在Cr金屬層表面蒸鍍Al金屬層，蒸鍍溫度為20℃至50℃；在Al金屬層表面蒸鍍Ti金屬層，蒸鍍溫度為20℃至50℃；在Ti金屬層表面蒸鍍Pt金屬層，蒸鍍溫度為20℃至80℃；重復(fù)Ti金屬層和Pt金屬層的蒸鍍，周期個(gè)數(shù)為1至3，Ti金屬層的蒸鍍鍍率小于Al金屬層的蒸鍍鍍率，Pt金屬層的蒸鍍鍍率大于Al金屬層的蒸鍍鍍率，使與Al金屬層直接接觸的Ti金屬層將Al金屬層的外表面完全包覆；在最后一個(gè)Ti金屬層/Pt金屬層周期的Pt金屬層表面蒸鍍Au金屬層。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種LED芯片電極及其制作方法和LED芯片。
背景技術(shù)
當(dāng)前全球能源短缺的憂(yōu)慮再度升高的背景下，節(jié)約能源是我們未來(lái)面臨的重要的問(wèn)題，在照明領(lǐng)域，LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)發(fā)光產(chǎn)品的應(yīng)用正吸引著世人的目光，LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品，必然是未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)，二十一世紀(jì)將進(jìn)入以L(fǎng)ED為代表的新型照明光源時(shí)代。
傳統(tǒng)的LED芯片電極結(jié)構(gòu)通常包括依次設(shè)置的Cr/Al/Pt/Au或者Cr/Al/Ti/Au，而且各層金屬層之間是直接堆垛疊加蒸鍍的，其結(jié)構(gòu)可參考圖1和圖2，圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的一種LED芯片電極結(jié)構(gòu)示意圖，圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中的另一種LED芯片電極結(jié)構(gòu)示意圖，從圖1和圖2均可看出，電極結(jié)構(gòu)中電極側(cè)壁面Al金屬層是直接裸露在外面的，而Al金屬屬于活潑金屬，容易與外界的水氧或其他物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而發(fā)生遷移，會(huì)導(dǎo)致LED芯片電極失效，最終導(dǎo)致LEE芯片失效。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本申請(qǐng)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供了一種LED芯片電極及其制作方法和LED芯片，該LED芯片電極的結(jié)構(gòu)中，Al金屬層的整個(gè)外表面(包括側(cè)壁)是被與其接觸的Ti金屬層完全包裹的，相當(dāng)于將Al金屬層完全與外界環(huán)境隔離，有效避免外界環(huán)境中的水氧或其他物質(zhì)與Al金屬層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，避免LED芯片電極失效，進(jìn)而避免LED芯片失效，從而有利于提升LED芯片電極及LED芯片的穩(wěn)定性，進(jìn)而有利于提升LED芯片的壽命。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)有如下技術(shù)方案：
第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NLED芯片電極的制作方法，依次包括：
提供包含透明導(dǎo)電層的GaN晶片，并在所述GaN晶片上制作光刻膠；
利用氧氣等離子體吹掃所述GaN晶片表面，去掉殘留的光刻膠底膜；
使用電子束蒸發(fā)臺(tái)在所述GaN晶片的光刻膠表面蒸鍍Cr金屬層，所述Cr金屬層的厚度為0.5nm至5nm；
在所述Cr金屬層背離所述所述光刻膠的表面蒸鍍Al金屬層，其中，所述Al金屬層的厚度為80nm至200nm，蒸鍍溫度為20℃至50℃；
在所述Al金屬層背離所述Cr金屬層的表面蒸鍍Ti金屬層，其中，所述Ti金屬層的厚度為50nm至200mn，蒸鍍溫度為20℃至50℃；
在所述Ti金屬層遠(yuǎn)離所述Al金屬層的表面蒸鍍Pt金屬層，其中，所述Pt金屬層的厚度為30nm至100mn，蒸鍍溫度為20℃至80℃；
重復(fù)所述Ti金屬層和所述Pt金屬層的蒸鍍，使Ti金屬層/Pt金屬層的周期個(gè)數(shù)為1至3，其中，所述Ti金屬層的蒸鍍鍍率小于所述Al金屬層的蒸鍍鍍率，所述Pt金屬層的蒸鍍鍍率大于所述Al金屬層的蒸鍍鍍率，使與所述Al金屬層直接接觸的所述Ti金屬層將所述Al金屬層的外表面完全包覆；
在最后一個(gè)Ti金屬層/Pt金屬層周期的所述Pt金屬層背離所述Ti金屬層的表面蒸鍍Au金屬層，所述Au金屬層的厚度為800nm至2000nm。
可選地，其中：
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
