[發(fā)明專利]LED芯片電極及其制作方法和LED芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810048297.7
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN108258095B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設計）人: 袁章潔;李康
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種LED芯片電極的制作方法，其特征在于，依次包括：

提供包含透明導電層的GaN晶片，并在所述GaN晶片上制作光刻膠；

利用氧氣等離子體吹掃所述GaN晶片表面，去掉殘留的光刻膠底膜；

使用電子束蒸發(fā)臺在所述GaN晶片的光刻膠表面蒸鍍Cr金屬層，所述Cr金屬層的厚度為0.5nm至5nm；

在所述Cr金屬層背離所述光刻膠的表面蒸鍍Al金屬層，其中，所述Al金屬層的厚度為80nm至200nm，蒸鍍溫度為20℃至50℃；

在所述Al金屬層背離所述Cr金屬層的表面蒸鍍Ti金屬層，其中，所述Ti金屬層的厚度為50nm至200mn，蒸鍍溫度為20℃至50℃；

在所述Ti金屬層遠離所述Al金屬層的表面蒸鍍Pt金屬層，其中，所述Pt金屬層的厚度為30nm至100mn，蒸鍍溫度為20℃至80℃；

重復所述Ti金屬層和所述Pt金屬層的蒸鍍，使Ti金屬層/Pt金屬層的周期個數(shù)為1至3，其中，所述Ti金屬層的蒸鍍鍍率小于所述Al金屬層的蒸鍍鍍率，所述Pt金屬層的蒸鍍鍍率大于所述Al金屬層的蒸鍍鍍率，使與所述Al金屬層直接接觸的所述Ti金屬層將所述Al金屬層的外表面完全包覆；

在最后一個Ti金屬層/Pt金屬層周期的所述Pt金屬層背離所述Ti金屬層的表面蒸鍍Au金屬層，所述Au金屬層的厚度為800nm至2000nm。

2.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片電極的制作方法，其特征在于，提供包含透明導電層的GaN晶片，并在所述GaN晶片上制作光刻膠，進一步為：

提供包含透明導電層的GaN晶片，并在所述GaN晶片上制作負光刻膠，所述負光刻膠的光刻倒角為θ，其中，10°≤θ≤45°。

3.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片電極的制作方法，其特征在于，所述Cr金屬層、所述Al金屬層、所述Ti金屬層/Pt金屬層和所述Au金屬層的總厚度為D，1500nm≤D≤2000nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片電極的制作方法，其特征在于，所述Al金屬層的蒸鍍鍍率為至

5.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片電極的制作方法，其特征在于，所述Ti金屬層的蒸鍍鍍率為至

6.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片電極的制作方法，其特征在于，所述Pt金屬層的蒸鍍鍍率為至

7.一種LED芯片電極，其特征在于，所述LED芯片電極為采用權利要求1至6之任一所述的LED芯片電極的制作方法所形成的LED芯片電極，所述LED芯片電極依次包括：含透明導電層的GaN晶片、光刻膠、Cr金屬層、Al金屬層、Ti金屬層/Pt金屬層、Au金屬層；

所述Ti金屬層/Pt金屬層的周期數(shù)為1至3，所述Cr金屬層的厚度為0.5nm至5nm，所述Al金屬層的厚度為80nm至200nm，所述Ti金屬層的厚度為50nm至200mn，所述Pt金屬層的厚度為30nm至100mn，所述Au金屬層的厚度為800nm至2000nm；

與所述Al金屬層直接接觸的所述Ti金屬層將所述Al金屬層的外表面完全包覆。

8.根據(jù)權利要求7所述的LED芯片電極，其特征在于，所述光刻膠為負光刻膠，所述負光刻膠的光刻倒角為θ，其中，10°≤θ≤45°。

9.根據(jù)權利要求7所述的LED芯片電極，其特征在于，所述Cr金屬層、所述Al金屬層、所述Ti金屬層/Pt金屬層和所述Au金屬層的總厚度為D，1500nm≤D≤2000nm。

10.一種LED芯片，其特征在于，包括LED芯片電極，其中，所述LED芯片電極為權利要求8或9所述的LED芯片電極。