[發明專利]半導體元件及其制作方法

有效

• 申請號: 201810048244.5
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN110061054B
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 林文凱;盛義忠;薛勝元;康智凱
• 申請（專利權）人: 藍槍半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作半導體元件的方法，其特征在于，包含：

形成一第一主動區以及一第二主動區沿著一第一方向延伸于一基底上，該第一主動區及該第二主動區各有至少一條鰭狀結構，各鰭狀結構具有兩個端邊緣；

形成一第一單擴散隔離結構沿著一第二方向延伸并位于該第一主動區以及該第二主動區之間，該第一單擴散隔離結構與各鰭狀結構中的一個端邊緣相重疊；以及

形成一第一柵極線沿著該第二方向延伸并交錯該第一主動區以及該第二主動區，其中該第一單擴散隔離結構設于該第一主動區以及該第二主動區之間的該第一柵極線正下方。

2.如權利要求1所述的方法，另包含形成一淺溝隔離環繞該第一主動區以及該第二主動區。

3.如權利要求2所述的方法，其中該第一單擴散隔離結構設于該淺溝隔離內。

4.如權利要求2所述的方法，其中該第一單擴散隔離結構以及該淺溝隔離包含相同材料。

5.如權利要求2所述的方法，其中該第一單擴散隔離結構以及該淺溝隔離包含不同材料。

6.如權利要求1所述的方法，其中該第一單擴散隔離結構由該第一主動區延伸至該第二主動區。

7.如權利要求1所述的方法，其中該第一單擴散隔離結構設于交錯該第一主動區的該第一柵極線下方以及設于該第一主動區以及該第二主動區之間的該第一柵極線下方。

8.如權利要求1所述的方法，其中該第一單擴散隔離結構設于交錯該第一主動區的該第一柵極線下方、該第一主動區以及該第二主動區之間的該第一柵極線下方以及交錯該第二主動區的該第一柵極線下方。

9.如權利要求1所述的方法，另包含形成一第二柵極線沿著該第二方向延伸并設于該第一柵極線旁。

10.如權利要求9所述的方法，另包含形成一第二單擴散隔離結構于該第二柵極線正下方并位于該第一主動區旁。

11.如權利要求1所述的方法，其中整個該第一單擴散隔離結構完全設于該第一柵極線正下方。

12.如權利要求1所述的方法，另包含在第一柵極線周圍形成間隙壁，其中該間隙壁的一部分與該鰭狀結構的上表面接觸。

13.如權利要求2所述的方法，該第一單擴散隔離結構的最底部低于該淺溝隔離的底部。