[發明專利]盤狀磁記錄介質以及磁盤裝置

在審

• 申請號: 201810047577.6
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN108538317A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 松本拓也;渡部彰
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: G11B5/73
• 分類號: G11B5/73;G11B5/72;G11B5/70
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 萬利軍;段承恩

1.一種盤狀磁記錄介質，

包括：

盤狀基板；

第一軟磁性層，其設置于所述盤狀基板上；

非磁性分隔層，其設置于所述第一軟磁性層上；

第二軟磁性層，其設置于所述非磁性分隔層上，經由所述非磁性分隔層而與所述第一軟磁性層反鐵磁性交換耦合；以及

磁記錄層，其設置于所述第二軟磁性層上，

所述盤狀磁記錄介質的特征在于：

交換耦合磁場即Hbias的大小從所述盤狀磁記錄介質的內周區域到外周區域變小。

2.根據權利要求1所述的盤狀磁記錄介質，其特征在于：

所述交換耦合磁場即Hbias的大小從所述內周區域到所述外周區域逐級變小。

3.根據權利要求1所述的盤狀磁記錄介質，其特征在于：

所述外周區域的交換耦合磁場即OD＿Hbias與所述內周區域的交換耦合磁場即ID＿Hbias滿足通過下述式(1)表示的關系，

OD＿Hbias＜1.16×ID＿Hbias－22.8…(1)

式中，ID＿Hbias≥30。

4.根據權利要求1所述的盤狀磁記錄介質，其特征在于：

相對于所述非磁性分隔層的厚度的、所述交換耦合磁場即Hbias的值周期性變化，在將所述交換耦合磁場即Hbias變為作為最大值的第1峰值時的非磁性分隔層的厚度設為a時，非磁性分隔層的厚度即x從所述內周區域到所述外周區域變薄，且滿足通過0＜x≤a表示的關系。

5.根據權利要求4所述的盤狀磁記錄介質，其特征在于：

所述非磁性分隔層的厚度即x從所述內周區域到所述外周區域逐級變薄。

6.根據權利要求1所述的盤狀磁記錄介質，其特征在于：

相對于所述非磁性分隔層的厚度的、所述交換耦合磁場即Hbias的值，周期性變化，在將所述交換耦合磁場即Hbias變為作為最大值的第1峰值時的非磁性分隔層的厚度設為a、將變為作為接在所述第1峰值之后的極大值的第2峰值時的非磁性分隔層的厚度設為c、將變為所述第1峰值與所述第2峰值之間的極小值時的非磁性分隔層的厚度設為b時，所述非磁性分隔層的厚度即x從所述盤狀磁記錄介質的內周區域到外周區域變厚，且滿足通過a≤x＜b表示的關系。

7.一種盤狀磁記錄介質，

包括：

盤狀基板；

第一軟磁性層，其設置于所述盤狀基板上；

非磁性分隔層，其設置于所述第一軟磁性層上；

第二軟磁性層，其設置于所述非磁性分隔層上，經由所述非磁性分隔層而與所述第一軟磁性層反鐵磁性交換耦合；以及

磁記錄層，其設置于所述第二軟磁性層上，

所述盤狀磁記錄介質的特征在于：

相對于所述非磁性分隔層的厚度的、所述交換耦合磁場即Hbias的值，周期性變化，

在將相對于所述非磁性分隔層的厚度而言、交換耦合磁場即Hbias變為作為最大值的第1峰值時的非磁性分隔層的厚度設為a、變為作為接在所述第1峰值之后的極大值的第2峰值時的非磁性分隔層的厚度設為c、變為所述第1峰值與所述第2峰值之間的極小值時的非磁性分隔層的厚度設為b時，所述非磁性分隔層的厚度即x從所述盤狀磁記錄介質的內周區域到外周區域變厚，且滿足通過a≤x＜b表示的關系。

8.根據權利要求6或7所述的盤狀磁記錄介質，其特征在于：

所述非磁性分隔層的厚度即x從所述內周區域到所述外周區域逐級變厚。

9.一種磁盤裝置，其特征在于：

包括：

權利要求1至8中的任意一項所述的盤狀磁記錄介質；

使所述記錄介質旋轉的驅動部；以及

具有對所述記錄介質進行信息處理的記錄頭的磁頭。