[發(fā)明專利]盤狀磁記錄介質(zhì)以及磁盤裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810047577.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108538317A | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 松本拓也;渡部彰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G11B5/73 | 分類號(hào): | G11B5/73;G11B5/72;G11B5/70 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 萬利軍;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 軟磁性層 盤狀磁記錄介質(zhì) 非磁性 分隔層 磁盤裝置 盤狀基板 外周區(qū)域 反鐵磁性交換耦合 交換耦合磁場(chǎng) 磁記錄介質(zhì) 磁記錄層 內(nèi)周區(qū)域 變小 盤狀 記錄 | ||
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及改善盤狀的磁記錄介質(zhì)的外周區(qū)域的線記錄密度的盤狀磁記錄介質(zhì)以及磁盤裝置。實(shí)施方式的盤狀磁記錄介質(zhì)包括:盤狀基板;設(shè)置于盤狀基板上的第一軟磁性層;設(shè)置于第一軟磁性層上的非磁性分隔層;設(shè)置于非磁性分隔層上、經(jīng)由非磁性分隔層而與第一軟磁性層反鐵磁性交換耦合的第二軟磁性層;以及設(shè)置于第二軟磁性層上的磁記錄層,交換耦合磁場(chǎng)Hbias的大小從盤狀磁記錄介質(zhì)的內(nèi)周區(qū)域到外周區(qū)域變小。
本申請(qǐng)享受以日本專利申請(qǐng)2017-40688號(hào)(申請(qǐng)日:2017年3月3日)為在先申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該在先申請(qǐng)而包括在先申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及盤狀磁記錄介質(zhì)以及磁盤裝置。
背景技術(shù)
磁記錄再現(xiàn)裝置,除了容量之外,面向企業(yè)還要求數(shù)據(jù)存取(access,訪問)性能較高的水平。特別對(duì)于順序存取性能,要求提高線記錄密度(BPI)。
在使用以往的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再現(xiàn)裝置中,具有在周速較高的外周區(qū)域產(chǎn)生高傳送時(shí)的寫入能力的下降、抑制了BPI的改善這樣的問題。
對(duì)于該問題,也提出下述的方法:通過使向記錄頭施加的記錄電流增加而使從記錄頭產(chǎn)生的磁通量增加,彌補(bǔ)外周區(qū)域的寫入能力的下降。
然而,記錄電流的增加會(huì)導(dǎo)致包圍磁頭的磁屏蔽件的磁飽和。例如,具有下述的問題:在圓周方向上因?qū)懭肫帘渭拇棚柡褪沟么艌?chǎng)傾斜度下降、S/N比劣化;在半徑方向上因側(cè)屏蔽件的磁飽和,引起相鄰磁道或者遍及很寬范圍的磁道的已記錄信息的劣化以及擦除。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式改善盤狀的磁記錄介質(zhì)的外周區(qū)域的線記錄密度。
根據(jù)實(shí)施方式,可提供一種盤狀磁記錄介質(zhì),包括:
盤狀基板;
第一軟磁性層,其設(shè)置于所述盤狀基板上;
非磁性分隔層,其設(shè)置于所述第一軟磁性層上;
第二軟磁性層,其設(shè)置于所述非磁性分隔層上,經(jīng)由所述非磁性分隔層而與所述第一軟磁性層反鐵磁性交換耦合;以及
磁記錄層,其設(shè)置于所述第二軟磁性層上,
所述盤狀磁記錄介質(zhì)的特征在于:
交換耦合磁場(chǎng)即Hbias的大小從所述盤狀磁記錄介質(zhì)的內(nèi)周區(qū)域到外周區(qū)域變小。
附圖說明
圖1是表示實(shí)施方式所涉及的磁記錄介質(zhì)的構(gòu)成的一例的剖視圖。
圖2是表示實(shí)施方式所涉及的磁記錄介質(zhì)的構(gòu)成的其他的一例的剖視圖。
圖3是表示在實(shí)施方式中使用的非磁性分隔層的厚度與Hbias的關(guān)系的曲線圖。
圖4是表示用于控制膜厚的成膜裝置的構(gòu)成的一例的概略圖。
圖5是表示用于控制膜厚的成膜裝置的構(gòu)成的一例的概略圖。
圖6是表示用于控制膜厚的成膜裝置的構(gòu)成的一例的概略圖。
圖7是表示用于控制膜厚的成膜裝置的構(gòu)成的一例的概略圖。
圖8是表示用于控制膜厚的成膜裝置的構(gòu)成的一例的概略圖。
圖9是表示用于控制膜厚的成膜裝置的構(gòu)成的一例的概略圖。
圖10是表示能夠適用實(shí)施方式所涉及的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再現(xiàn)裝置的一例的概略圖。
圖11是表示內(nèi)周區(qū)域的Hbias與外周區(qū)域Hbias的最大值的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施方式
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社,未經(jīng)株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810047577.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G11B 基于記錄載體和換能器之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而實(shí)現(xiàn)的信息存儲(chǔ)
G11B5-00 借助于記錄載體的激磁或退磁進(jìn)行記錄的;用磁性方法進(jìn)行重現(xiàn)的;為此所用的記錄載體
G11B5-004 .磁鼓信息的記錄、重現(xiàn)或抹除
G11B5-008 .磁帶或磁線信息的記錄、重現(xiàn)或抹除
G11B5-012 .磁盤信息的記錄、重現(xiàn)或抹除
G11B5-02 .記錄、重現(xiàn)或抹除的方法及其讀、寫或抹除的電路
G11B5-10 .磁頭的外殼或屏蔽罩的結(jié)構(gòu)或制造
- 盤裝置
- 磁記錄介質(zhì)及其記錄再生方法和記錄再生裝置
- 磁記錄介質(zhì)及制造磁記錄介質(zhì)的方法、以及磁記錄設(shè)備
- 盤裝置
- 磁記錄介質(zhì)和磁記錄再生設(shè)備
- 磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法和制造方法
- 磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造方法、磁記錄介質(zhì)玻璃基板的制造方法、磁記錄介質(zhì)的制造方法、以及磁記錄介質(zhì)玻璃基板用玻璃坯料的制造裝置
- 磁記錄介質(zhì)及其制造方法、以及磁記錄再生裝置
- 磁記錄介質(zhì)用玻璃基板、及使用了該磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的磁記錄介質(zhì)
- 盤狀磁記錄介質(zhì)以及磁盤裝置





