[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810045337.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108257927B | 公開(公告)日: | 2020-02-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莊清梅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市晶存科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/31 | 分類號(hào): | H01L23/31;H01L25/07;H01L23/498 |
| 代理公司: | 44384 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 | 代理人: | 譚雪婷;彭西洋 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)福*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 散熱金屬板 導(dǎo)熱硅膠片 堆疊體 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件 投影線 導(dǎo)熱 節(jié)省材料 邊緣線 金屬板 熱傳導(dǎo) 散熱 樹脂 翹曲 密封 外圍 側(cè)面 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,其包括:
中介板,其具有相對(duì)的第一表面和第二表面;
存儲(chǔ)芯片堆疊體,所述堆疊體設(shè)置于所述第一表面上,具有上下堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)芯片,所述多個(gè)存儲(chǔ)芯片中設(shè)有通孔,所述多個(gè)存儲(chǔ)芯片的相鄰的兩個(gè)通過(guò)第一焊球電連接所述通孔實(shí)現(xiàn)芯片間電連接,并且,所述多個(gè)存儲(chǔ)芯片的每一個(gè)的長(zhǎng)度為L(zhǎng);
導(dǎo)熱硅膠片,其粘附于所述堆疊體上,其截面為長(zhǎng)方形,俯視為正方形,所述導(dǎo)熱硅膠片的厚度為d;
散熱金屬板,其粘附于所述導(dǎo)熱硅膠片上,其截面為長(zhǎng)方形,俯視為正方形,所述散熱金屬板的寬度為W,并且所述散熱金屬板外圍的邊緣線為所述堆疊體在所述散熱金屬板上的投影線的擴(kuò)張線,所述擴(kuò)張線為所述堆疊體在所述散熱金屬板上的投影線向外擴(kuò)張所述導(dǎo)熱硅膠片的厚度d長(zhǎng)度所得的擴(kuò)張線; 其中W=L+2d;
封裝樹脂,覆蓋所述第一表面、所述堆疊體的側(cè)面、所述導(dǎo)熱硅膠片的側(cè)面以及所述散熱金屬板的側(cè)面。
2.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,其包括:
中介板,其具有相對(duì)的第一表面和第二表面;
存儲(chǔ)芯片堆疊體,所述堆疊體設(shè)置于所述第一表面上,具有上下堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)芯片,所述多個(gè)存儲(chǔ)芯片中設(shè)有通孔,所述多個(gè)存儲(chǔ)芯片的相鄰的兩個(gè)通過(guò)第一焊球電連接所述通孔實(shí)現(xiàn)芯片間電連接,并且,所述多個(gè)存儲(chǔ)芯片的每一個(gè)的長(zhǎng)度為L(zhǎng);
導(dǎo)熱硅膠片,其粘附于所述堆疊體上,其截面為等腰梯形,俯視為正方形,所述導(dǎo)熱硅膠片的厚度為d;
散熱金屬板,其粘附于所述導(dǎo)熱硅膠片上,其截面為長(zhǎng)方形,俯視為正方形,所述散熱金屬板的寬度為W,并且所述散熱金屬板外圍的邊緣線為所述堆疊體在所述散熱金屬板上的投影線的擴(kuò)張線,所述擴(kuò)張線為所述堆疊體在所述散熱金屬板上的投影線向外擴(kuò)張所述導(dǎo)熱硅膠片的厚度d長(zhǎng)度所得的擴(kuò)張線,所述等腰梯形的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度等于所述散熱金屬板的寬度W,所述等腰梯形的短邊的長(zhǎng)度等于L;其中W=L+2d;
封裝樹脂,覆蓋所述第一表面、所述堆疊體的側(cè)面、所述導(dǎo)熱硅膠片的側(cè)面以及所述散熱金屬板的側(cè)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,其特征在于:所述封裝樹脂的上表面與所述散熱金屬板的上表面齊平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,其特征在于:所述多個(gè)存儲(chǔ)芯片的相鄰的兩個(gè)之間設(shè)有底部填充膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,其特征在于:所述散熱金屬板的側(cè)面上設(shè)有凹槽,所述凹槽的深度h小于d。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,其特征在于:所述封裝樹脂填充所述凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,其特征在于:所述中介板的第二表面設(shè)有多個(gè)第二焊球。
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