[發(fā)明專利]銅箔基板的制作方法及由該方法制得的銅箔基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810041790.6 | 申請日： | 2018-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN110049636B | 公開（公告）日： | 2022-01-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐筱婷;何明展 | 申請（專利權(quán)）人： | 鵬鼎控股（深圳）股份有限公司;宏啟勝精密電子（秦皇島）有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/38 | 分類號： | H05K3/38;H05K1/03;H05K1/09 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人： | 薛曉偉;饒婕 |
| 地址： | 518105 廣東省深圳市寶安區(qū)燕*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 銅箔 制作方法 法制 | ||
1.一種銅箔基板的制作方法，其包括如下步驟：
提供一基板，所述基板的材質(zhì)為液晶聚合物；
對所述基板進行表面氧化處理，以在該基板的至少一表面上形成活化官能團，所述活化官能團包括C-O、C-O-C及C-N-C中的至少一種；
通過物理氣相沉積在所述基板上形成銅鉻合金層以及氧化鉻，該銅鉻合金層以及該氧化鉻與該基板之間形成化學(xué)鍵合；
在所述銅鉻合金層以及該氧化鉻遠(yuǎn)離該基板的表面形成銅層。
2.如權(quán)利要求1所述的銅箔基板的制作方法，其特征在于：所述對所述基板進行表面氧化處理之前，還包括在所述基板上開設(shè)至少一通孔的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的銅箔基板的制作方法，其特征在于：所述通孔具有一孔壁，所述銅鉻合金層包括結(jié)合于所述基板至少一表面的第一銅鉻合金層及結(jié)合于所述孔壁上的第二銅鉻合金層，所述銅層包括結(jié)合于所述第一銅鉻合金層的遠(yuǎn)離基板的表面的第一銅層及結(jié)合于所述第二銅鉻合金層的遠(yuǎn)離孔壁的表面的第二銅層。
4.如權(quán)利要求1所述的銅箔基板的制作方法，其特征在于：所述活化官能團還包括含有活潑氫的官能團中的一種或幾種，該含有活潑氫的官能團為-OH、-COOH、-NH2、-NH、及-SH中的一種或幾種。
5.如權(quán)利要求1所述的銅箔基板的制作方法，其特征在于：所述銅鉻合金層中鉻的質(zhì)量百分含量范圍為2％～35％，所述銅鉻合金層的厚度范圍為0.2μm～6μm。
6.一種銅箔基板，其特征在于：該銅箔基板包括基板、結(jié)合于所述基板的銅鉻合金層及氧化鉻、及結(jié)合于該銅鉻合金層的遠(yuǎn)離基板的表面的銅層，該銅鉻合金層及該氧化鉻與該基板之間形成化學(xué)鍵合，該基板的材質(zhì)為液晶聚合物。
7.如權(quán)利要求6所述的銅箔基板，其特征在于：所述基板上開設(shè)有至少一通孔，該通孔具有一孔壁，所述銅鉻合金層包括結(jié)合于所述基板至少一表面的第一銅鉻合金層及結(jié)合于所述孔壁上的第二銅鉻合金層，所述銅層包括結(jié)合于所述第一銅鉻合金層的遠(yuǎn)離該基板的表面的第一銅層及結(jié)合于所述第二銅鉻合金層的遠(yuǎn)離孔壁的表面的第二銅層。
8.如權(quán)利要求6所述的銅箔基板，其特征在于：所述銅鉻合金層中鉻的質(zhì)量百分含量范圍為2％～35％。
9.如權(quán)利要求6所述的銅箔基板，其特征在于：所述銅鉻合金層的厚度范圍為0.2μm～6μm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于鵬鼎控股（深圳）股份有限公司;宏啟勝精密電子（秦皇島）有限公司，未經(jīng)鵬鼎控股（深圳）股份有限公司;宏啟勝精密電子（秦皇島）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810041790.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
