[發明專利]承載盤有效
| 申請號: | 201810039324.4 | 申請日: | 2018-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN110047796B | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發明(設計)人: | 鄧志明 | 申請(專利權)人: | 億力鑫系統科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍;謝瓊慧 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 | ||
一種承載盤,包含承載頂面,及擋液環面。承載頂面具有環形外端緣。擋液環面環繞于所述承載頂面外周圍并具有環形上端緣,所述環形上端緣沿縱向的高度低于所述環形外端緣的高度且兩者相間隔第一距離,所述環形上端緣沿垂直于所述縱向的橫向位于所述環形外端緣外側且兩者相間隔第二距離,所述承載盤界定出位于所述環形外端緣與所述環形上端緣之間且環繞于所述承載頂面外周圍的環形凹槽。借由擋液環面及環形凹槽的設計,能防止處理液或清洗液滲流入承載頂面與基板的背面之間并且附著于背面上。
技術領域
本發明涉及一種承載盤,特別是涉及一種用以承載基板并能帶動其旋轉的承載盤。
背景技術
現有用以對例如為晶圓的基板進行加工處理的處理設備包括有一承載盤,及一圍繞設置于承載盤外周圍的外罩。當處理設備對基板進行加工處理時,承載盤吸附于基板的一背面并帶動基板旋轉,同時,處理設備會供應處理液至旋轉的基板上。
在前述加工過程中,處理液會因基板的旋轉而向外飛散至外罩處。在承載盤帶動基板高速旋轉的運作環境下,飛散至外罩的處理液容易被外罩反彈回基板下方及承載盤的一外周面處,此時處理液易滲流入承載盤頂面與基板的背面之間進而附著在基板的背面。如此一來,前述滲流入承載盤與基板之間且附著在基板的背面的處理液便無法被沖洗噴嘴所噴出的清洗液所清洗掉,導致經由處理設備處理完成并且輸出的基板會殘留有一圈的處理液痕跡。
發明內容
因此,本發明的一目的,在于提供一種承載盤,能防止制程中處理液或清洗液滲流入承載頂面與基板的背面之間。
本發明的目的及解決背景技術問題是采用于下技術方案來實現的,依據本發明提出的承載盤包含承載頂面,及擋液環面,所述承載頂面具有環形外端緣,所述擋液環面環繞于所述承載頂面外周圍并具有環形上端緣,所述環形上端緣沿縱向的高度低于所述環形外端緣的高度且兩者相間隔第一距離,所述環形上端緣沿垂直于所述縱向的橫向位于所述環形外端緣外側且兩者相間隔第二距離,所述承載盤界定出位于所述環形外端緣與所述環形上端緣之間且環繞于所述承載頂面外周圍的環形凹槽。
在一些實施態樣中,承載盤還界定出與所述環形凹槽相連通的排液流道。
在一些實施態樣中,所述擋液環面還具有由所述環形上端緣朝下并朝外傾斜延伸的錐形面部。
在一些實施態樣中,承載盤包含盤體,及設置于所述盤體外周圍的擋液環,所述盤體具有所述承載頂面,所述擋液環具有所述擋液環面,所述盤體與所述擋液環共同界定出所述環形凹槽。
在一些實施態樣中,所述盤體與所述擋液環還共同界定出與所述環形凹槽相連通的排液流道。
在一些實施態樣中,所述盤體包括頂壁,及圍繞壁,所述頂壁具有所述承載頂面,及由所述環形外端緣朝下延伸的外周面,所述圍繞壁由所述外周面底端朝下凸伸,所述擋液環具有底壁,及外周壁,所述底壁一體成型地由所述圍繞壁徑向朝外凸伸,所述外周壁由所述底壁外周緣朝上凸伸并與所述圍繞壁相間隔且具有所述擋液環面,所述排液流道具有由所述圍繞壁、所述底壁及所述外周壁共同界定出并與所述環形凹槽相連通的環形進液槽,及多個由所述擋液環面朝內凹陷并與所述環形進液槽相連通的排液孔。
在一些實施態樣中,所述外周面為由所述環形外端緣朝下并朝內傾斜延伸的倒錐面,所述圍繞壁具有圍繞面,及由所述外周面底端徑向朝外延伸且連接所述圍繞面頂端的肩面。
在一些實施態樣中,所述盤體包括頂壁、圍繞壁,及承托壁,所述頂壁具有所述承載頂面,及由所述環形外端緣朝下延伸的外周面,所述圍繞壁由所述外周面底端朝下凸伸,所述承托壁由所述圍繞壁徑向朝外凸伸并呈環形狀,所述擋液環具有下壁,及外周壁,所述下壁抵接于所述承托壁上,所述外周壁由所述下壁外周緣朝上凸伸并與所述圍繞壁相間隔且具有所述擋液環面,所述排液流道具有由所述圍繞壁、所述下壁及所述外周壁共同界定出并與所述環形凹槽相連通的環形進液槽,及多個由所述擋液環面朝內凹陷并與所述環形進液槽相連通的排液孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





