[發明專利]承載盤有效
| 申請號: | 201810039324.4 | 申請日: | 2018-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN110047796B | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發明(設計)人: | 鄧志明 | 申請(專利權)人: | 億力鑫系統科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍;謝瓊慧 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 | ||
1.一種承載盤,適用于承載基板;其特征在于:
所述承載盤包含轉軸、承載頂面,及擋液環面,所述轉軸能被帶動而使所述承載盤旋轉,所述承載頂面用于承載所述基板并具有環形外端緣,所述擋液環面環繞于所述承載頂面外周圍并具有環形上端緣,及由所述環形上端緣朝下延伸且朝外的面部,所述環形上端緣沿縱向的高度低于所述環形外端緣的高度且兩者相間隔第一距離,所述環形上端緣沿垂直于所述縱向的橫向位于所述環形外端緣外側且兩者相間隔第二距離,所述承載盤界定出位于所述環形外端緣與所述環形上端緣之間且環繞于所述承載頂面外周圍的環形凹槽,所述第一距離的大小是大于0毫米且小于或等于0.7毫米范圍之間的任一數值。
2.根據權利要求1所述的承載盤,其特征在于:還界定出與所述環形凹槽相連通的排液流道。
3.根據權利要求1所述的承載盤,其特征在于:所述擋液環面的面部為由所述環形上端緣朝下并朝外傾斜延伸的錐形面部。
4.根據權利要求2所述的承載盤,其特征在于:所述擋液環面的面部為由所述環形上端緣朝下并朝外傾斜延伸的錐形面部。
5.根據權利要求1所述的承載盤,其特征在于:包含盤體,及設置于所述盤體外周圍的擋液環,所述盤體具有所述承載頂面,所述擋液環具有所述擋液環面,所述盤體與所述擋液環共同界定出所述環形凹槽。
6.根據權利要求5所述的承載盤,其特征在于:所述盤體與所述擋液環還共同界定出與所述環形凹槽相連通的排液流道。
7.根據權利要求6所述的承載盤,其特征在于:所述擋液環面的面部為由所述環形上端緣朝下并朝外傾斜延伸的錐形面部。
8.根據權利要求7所述的承載盤,其特征在于:所述盤體包括頂壁,及圍繞壁,所述頂壁具有所述承載頂面,及由所述環形外端緣朝下延伸的外周面,所述圍繞壁由所述外周面底端朝下凸伸,所述擋液環具有底壁,及外周壁,所述底壁一體成型地由所述圍繞壁徑向朝外凸伸,所述外周壁由所述底壁外周緣朝上凸伸并與所述圍繞壁相間隔且具有所述擋液環面,所述排液流道具有由所述圍繞壁、所述底壁及所述外周壁共同界定出并與所述環形凹槽相連通的環形進液槽,及多個由所述擋液環面朝內凹陷并與所述環形進液槽相連通的排液孔。
9.根據權利要求8所述的承載盤,其特征在于:所述外周面為由所述環形外端緣朝下并朝內傾斜延伸的倒錐面,所述圍繞壁具有圍繞面,及由所述外周面底端徑向朝外延伸且連接所述圍繞面頂端的肩面。
10.根據權利要求7所述的承載盤,其特征在于:所述盤體包括頂壁、圍繞壁,及承托壁,所述頂壁具有所述承載頂面,及由所述環形外端緣朝下延伸的外周面,所述圍繞壁由所述外周面底端朝下凸伸,所述承托壁由所述圍繞壁徑向朝外凸伸并呈環形狀,所述擋液環具有下壁,及外周壁,所述下壁抵接于所述承托壁上,所述外周壁由所述下壁外周緣朝上凸伸并與所述圍繞壁相間隔且具有所述擋液環面,所述排液流道具有由所述圍繞壁、所述下壁及所述外周壁共同界定出并與所述環形凹槽相連通的環形進液槽,及多個由所述擋液環面朝內凹陷并與所述環形進液槽相連通的排液孔。
11.根據權利要求10所述的承載盤,其特征在于:所述外周面為由所述環形外端緣朝下并朝內傾斜延伸的倒錐面,所述圍繞壁具有圍繞面,及由所述外周面底端徑向朝外延伸且連接所述圍繞面頂端的肩面,所述承托壁由所述圍繞面鄰近底端處徑向朝外凸伸。
12.根據權利要求10所述的承載盤,其特征在于:還包含用以將所述擋液環鎖定于所述盤體的鎖定單元。
13.根據權利要求12所述的承載盤,其特征在于:所述承托壁形成有多個定位孔,所述下壁形成有多個分別與所述定位孔相連通的穿孔,所述鎖定單元包括多個鎖定件,所述鎖定件穿設于對應的穿孔并且固定地結合于對應的所述定位孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





