[發明專利]一種高效率光轉換彩色顯示像素膜的制作方法在審
| 申請號: | 201810039321.0 | 申請日: | 2018-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN108321170A | 公開(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發明(設計)人: | 孫小衛;邱成峰 | 申請(專利權)人: | 南方科技大學;深圳撲浪創新科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京載博知識產權代理事務所(普通合伙) 11116 | 代理人: | 薛晶晶 |
| 地址: | 518000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效率 光轉換 基底 彩色顯示像素 制作 量子點 像素 清洗 彩色顯示器件 單色顯示器件 量子點材料 透明保護層 彩色顯示 顯示顏色 像素隔離 彩色化 顯示色 加蓋 貼合 制備 打印 對準 應用 | ||
1.一種高效率光轉換彩色的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括:
一個基礎OLED顯示像素;
一個量子激發部,所述量子激發部鋪設在所述基礎OLED顯示像素上;所述基礎OLED顯示像素發出短波光,激發所述量子激發部的量子點進行發光。
2.根據權利要求1所述的一種高效率光轉換彩色的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置還包括:
一個濾光部,所述基礎OLED顯示像素發出的光可被所述濾光部吸收。
3.一種高效率光轉換彩色顯示膜的制作方法,其特征在于,所述方法采用在通用OLED顯示像素上鋪設一個量子激發部,所述OLED顯示發射短波光,激發量子激發部的量子點,實現全彩發光。
4.根據權利要求3所述的一種高效率光轉換彩色顯示膜的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
A)提供一個基底,并將所述基底進行清洗;
B)在清洗好的基底上制作像素隔離墻;
C)在設計的像素區內,打印對應顏色的量子點材料;
D)在制備好的量子點上加蓋透明保護層;
E)將量子點板,與對應的OLED顯示像素對準貼合,形成彩色顯示器件。
5.根據權利要求4所述的一種高效率光轉換彩色顯示膜的制作方法,其特征在于,所述步驟C)中,采用逐個像素點依次打印,將所述量子點材料打印至像素區內。
6.根據權利要求4所述的一種高效率光轉換彩色顯示膜的制作方法,其特征在于,所述第一步的清洗步驟具體包括:
基底通過濕法清洗工藝進行清洗:
1.1所述濕法清洗工藝可以通過使用去離子水或者異丙醇進行清洗。
7.根據權利要求4所述的一種高效率光轉換彩色顯示膜的制作方法,其特征在于,所述第一步的清洗步驟具體包括:
基底通過干法清洗工藝進行清洗:
1.1干法清洗工藝可以使用采用二氧化碳、超聲波或者激光脈沖波的技術;具體為,利用二氧化碳的技術通過升華干冰并同時將被升華的物質撞擊到基底上來除去污染物;
1.2利用激光脈沖波的技術或者將激光脈沖波施加到基板的轉印層上來除去存在于基板上的顆粒,或者利用激光脈沖波來振動供體基板周圍的空氣以浮動或者除去存在于基板上的顆粒;
或者利用超聲波的技術是注入高速超聲氣體到供體基板的轉印層上以便通過分離和抽氣除去顆粒。
8.根據權利要求4所述的一種高效率光轉換彩色顯示膜的制作方法,其特征在于,所述第二步在清洗好的基底上制作像素隔離墻的具體步驟包括:
S1,在基底之上形成親油層;
S2,在親油層上形成疏油層;
S3,在疏油層上形成光刻膠;
S4,去除與對應像素電極陣列的光刻膠;
S5,蝕刻與像素電極陣列對應的疏油層;
S6,蝕刻與像素電極陣列對應的親油層,以使親油層和疏油層一起界定多個與像素電極陣列對應的凹陷區域,即由親油層和疏油層構成像素隔離墻,然后去除光刻膠。
9.根據權利要求4所述的一種高效率光轉換彩色顯示膜的制作方法,其特征在于,所述第三步打印對應的量子材料的具體步驟包括:
一:按陣列排列的RGB像素單元和用于封裝的透明材料的三維數字模型;
二:將所述三維數字模型輸入到噴墨打印機程序中,所述噴墨打印機程序根據所述三維數字模型得出二維平面上的量子點材料和形狀,設計打印頭和打印頭上若干微噴頭內的量子點材料、微噴打印的起始點、打印路徑和微噴打印的截止點;
所述打印頭內包括三個平行設置的微噴頭,從左至右依次裝填有相應設計好的量子點材料,經此打印頭進行噴墨打印陣列排布;
三:在微噴頭內裝填相應的量子點材料后,按照微噴打印的起始點、打印路徑和微噴打印的截止點進行噴墨打印,打印厚度為2~50nm之間;
四:噴墨打印完成后,清理器件表面多余的材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





