[發明專利]圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法

在審

• 申請號: 201810037345.2
• 申請日: 2018-01-16
• 公開（公告）號: CN108257995A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 黃曉櫓;呂相南;北村陽介
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/0352
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 田菁

本公開涉及一種形成圖像傳感器的方法，包括：在光電二極管的周圍形成凹槽，其中所述光電二極管包括形成在第二導電類型的半導體襯底中的第一導電類型的第一摻雜區域；在所述凹槽中填充包括第二導電類型的離子的材料，其中所述材料中的所述第二導電類型的離子的濃度高于所述半導體襯底中的第二導電類型的離子的濃度；以及所述材料中的所述第二導電類型的離子進行擴散，從而在所述凹槽的周圍形成包覆所述凹槽的第二導電類型的第二摻雜區域。本公開還涉及一種圖像傳感器。本公開能夠有效地抑制對半導體襯底的刻蝕所產生的晶格缺陷或界面缺陷所帶來的負面影響。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，具體來說，涉及一種圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法。

背景技術

在圖像傳感器的制造過程中，對半導體襯底的刻蝕會產生晶格缺陷或界面缺陷，這些缺陷會降低圖像傳感器的性能。

因此，存在對新技術的需求。

發明內容

本公開的一個目的是提供一種新型的圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法。

根據本公開的第一方面，提供了一種形成圖像傳感器的方法，包括：在光電二極管的周圍形成凹槽，其中所述光電二極管包括形成在第二導電類型的半導體襯底中的第一導電類型的第一摻雜區域；在所述凹槽中填充包括第二導電類型的離子的材料，其中所述材料中的所述第二導電類型的離子的濃度高于所述半導體襯底中的第二導電類型的離子的濃度；以及所述材料中的所述第二導電類型的離子進行擴散，從而在所述凹槽的周圍形成包覆所述凹槽的第二導電類型的第二摻雜區域。

根據本公開的第二方面，提供了一種圖像傳感器，包括：光電二極管；以及形成在所述光電二極管周圍的隔離結構，其中，所述光電二極管包括形成在第二導電類型的半導體襯底中的第一導電類型的第一摻雜區域；以及所述隔離結構包括主體區域和包覆所述主體區域的第二導電類型的第二摻雜區域，其中，所述第二摻雜區域中的第二導電類型的離子的濃度高于所述半導體襯底中的第二導電類型的離子的濃度。

通過以下參照附圖對本公開的示例性實施例的詳細描述，本公開的其它特征及其優點將會變得清楚。

附圖說明

構成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。

參照附圖，根據下面的詳細描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：

圖1至3是分別示出了在根據本公開一些示例性實施例來形成圖像傳感器的一個方法示例的各個步驟處的圖像傳感器的截面的示意圖。

圖4是示意性地示出根據本公開的一些實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖5是示意性地示出根據本公開的一些實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖6是示意性地示出根據本公開的一些實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

注意，在以下說明的實施方式中，有時在不同的附圖之間共同使用同一附圖標記來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重復說明。在本說明書中，使用相似的標號和字母表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。

為了便于理解，在附圖等中所示的各結構的位置、尺寸及范圍等有時不表示實際的位置、尺寸及范圍等。因此，所公開的發明并不限于附圖等所公開的位置、尺寸及范圍等。

具體實施方式

現在將參照附圖來詳細描述本公開的各種示例性實施例。應注意到：除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數字表達式和數值不限制本公開的范圍。

以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本公開及其應用或使用的任何限制。