[發明專利]圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法

在審

• 申請號: 201810037345.2
• 申請日: 2018-01-16
• 公開（公告）號: CN108257995A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 黃曉櫓;呂相南;北村陽介
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/0352
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 田菁

1.一種形成圖像傳感器的方法，其特征在于，包括：

在光電二極管的周圍形成凹槽，其中所述光電二極管包括形成在第二導電類型的半導體襯底中的第一導電類型的第一摻雜區域；

在所述凹槽中填充包括第二導電類型的離子的材料，其中所述材料中的所述第二導電類型的離子的濃度高于所述半導體襯底中的第二導電類型的離子的濃度；以及

所述材料中的所述第二導電類型的離子進行擴散，從而在所述凹槽的周圍形成包覆所述凹槽的第二導電類型的第二摻雜區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一摻雜區域與所述第二摻雜區域無接觸。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料為電介質材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料為硼硅玻璃，所述第二導電類型的離子為硼離子。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述硼離子在所述硼硅玻璃中的摩爾百分比為1％～10％。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過進行熱處理來使得所述材料中的所述第二導電類型的離子擴散。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述熱處理的溫度為400℃～700℃。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成的所述第二摻雜區域的寬度為10nm～30nm。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

10.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

光電二極管；以及

形成在所述光電二極管周圍的隔離結構，其中，

所述光電二極管包括形成在第二導電類型的半導體襯底中的第一導電類型的第一摻雜區域；以及

所述隔離結構包括主體區域和包覆所述主體區域的第二導電類型的第二摻雜區域，其中，

所述第二摻雜區域中的第二導電類型的離子的濃度高于所述半導體襯底中的第二導電類型的離子的濃度。