[發明專利]等離子體源

有效

• 申請號: 201810036200.0
• 申請日: 2018-01-15
• 公開（公告）號: CN109119314B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 藤田秀樹;糸井駿
• 申請（專利權）人: 日新離子機器株式會社
• 主分類號: H01J37/08
• 分類號: H01J37/08;H01J37/317
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李成必;李雪春

本發明提供一種離子或電子的引出效率高的等離子體源。等離子體源(1)包括：室(11)，具有用于將在內側生成的離子或電子向外輻射的開口部(11a)；氣體導入部(31)，向室(11)內導入氣體；真空連接器(14)，設置在周壁(111)的與開口部(11a)相對的位置上；天線(15)，基端部(15a)與真空連接器(14)連接，在室(11)內朝向開口部(11a)延伸；第一絕緣體部(21)，覆蓋天線(15)的位于室(11)內的前端部(15b)一側的第一部位(P1)；第二絕緣體部(13)，覆蓋天線(15)的位于室(11)內的基端部(15a)一側的第二部位(P2)；以及導體部(16)，覆蓋第二絕緣體部(13)。

技術領域

本發明涉及一種等離子體源。

背景技術

以往提出了一種離子自由基源，其包括：等離子體生成室；氣體導入部，用于向等離子體生成室導入氣體；天線，配置在等離子體生成室的內部；以及引出電極，配置在用于將等離子體生成室內的離子或自由基向等離子體生成室外輻射的開口部附近(例如參照專利文獻1)。在此，天線的基端部固定在等離子體生成室內的與開口部相對的內壁上，其前端部向開口部突出。

專利文獻1：日本專利公開公報特開平8-31358號

并且，在專利文獻1記載的結構的離子自由基源中，在等離子體生成室內的天線的基端部附近生成的等離子體的密度較高。另一方面，在等離子體生成室內，距開口部的距離越遠的位置生成的離子或電子利用引出電極從開口部向等離子體生成室外引出時的引出效率越低。因此，如果等離子體生成室內的等離子體的密度表現出距開口部的距離較遠的天線的基端部附近變高的分布，則相應地離子或電子向等離子體生成室外的引出效率下降。

發明內容

鑒于上述問題，本發明的目的在于提供離子或電子的引出效率高的等離子體源。

為了達成上述目的，本發明提供一種等離子體源，其包括：室，呈箱狀，具有用于將在內側生成的離子或電子向外輻射的開口部；氣體導入部，通過貫通所述室的周壁的供給通道，將氣體導入所述室內；連接器，設置在所述周壁的與所述開口部相對的位置上；天線，基端部與所述連接器連接，在所述室內朝向所述開口部延伸；第一絕緣體部，覆蓋所述天線的位于所述室內的前端部側的第一部位；第二絕緣體部，覆蓋所述天線的位于所述室內的所述基端部側的第二部位；以及導體部，覆蓋所述第二部位而不覆蓋所述第一部位。

按照本發明，其包括：天線，基端部與連接器連接，在室內朝向開口部延伸；第一絕緣體部，覆蓋天線的第一部位；第二絕緣體部，覆蓋天線的第二部位；以及導體部，覆蓋第二部位而不覆蓋第一部位。由此，由于導體部的存在而降低了在室內的天線的第二部位周圍產生的等離子體的密度，并且提高了室內的與第二部位的周圍相比在靠近開口部的區域產生的等離子體的密度。因此具有如下優點：由于在室內靠近開口部的區域生成的離子或電子增加，所以相應地提高了利用引出電極將其從開口部向室外引出時的引出效率。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式的等離子體源的斷面圖。

圖2的(A)是實施方式的嵌合構件的分解立體圖，(B)是實施方式的嵌合構件的斷面圖。

圖3的(A)是實施方式的副絕緣體部的立體圖，(B)是表示實施方式的副絕緣體部和天線的一部分的斷面圖。

圖4的(A)是實施方式的罩部的斷面圖，(B)是實施方式的第二絕緣體部的斷面圖。

圖5是表示實施方式的連接器和導體部的斷面圖。

附圖標記說明