[發(fā)明專(zhuān)利]一種芯片測(cè)試裝置及其設(shè)計(jì)方法、故障注入分析方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810036167.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110047767B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊坤 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 國(guó)民技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/66 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281 | 代理人: | 江婷 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 測(cè)試 裝置 及其 設(shè)計(jì) 方法 故障 注入 分析 | ||
本發(fā)明提供了一種芯片測(cè)試裝置及其設(shè)計(jì)方法、故障注入分析方法,通過(guò)在芯片測(cè)試裝置中的PCB基板的安裝待測(cè)試芯片的安裝區(qū)域上開(kāi)設(shè)一個(gè)開(kāi)槽,通過(guò)該開(kāi)槽將待測(cè)試芯片的襯底裸露出來(lái),基于該種設(shè)計(jì)的裝置進(jìn)行芯片的故障注入分析,其激光錯(cuò)誤注入可以通過(guò)開(kāi)槽直接注入到芯片的襯底上,大概率提升芯片驗(yàn)證階段的驗(yàn)證全面性,降低芯片投片后安全性能不過(guò)關(guān)的風(fēng)險(xiǎn);進(jìn)一步的,該開(kāi)槽的設(shè)計(jì)方式,不僅不會(huì)影響芯片的正常工作,而且芯片的襯底表面干凈整潔,對(duì)于激光錯(cuò)誤注入分析事半功倍,解決了貼片于PCB上的芯片無(wú)法正常進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入分析的問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片測(cè)試裝置及其設(shè)計(jì)方法、故障注入分析方法。
背景技術(shù)
隨著信息安全技術(shù)的發(fā)展,各種安全產(chǎn)品越來(lái)越普及,不僅包括金融IC卡、社保卡、用于網(wǎng)上銀行的USBKey、加密U盤(pán)等這些安全產(chǎn)品,Iots和智能設(shè)備領(lǐng)域,也需要安全可靠的芯片來(lái)保證其產(chǎn)品的可靠性。因此對(duì)安全芯片的安全特性分析研究,保證其安全性通過(guò)各個(gè)測(cè)評(píng)標(biāo)準(zhǔn)尤其重要,并且該安全功能的分析必須在芯片投片前的驗(yàn)證階段做到全面評(píng)估。
在安全芯片領(lǐng)域中,芯片的安全性是一個(gè)更古不變的話題,在現(xiàn)有的技術(shù)中,對(duì)于芯片的安全分析大致可以劃分為三種分析方式,分別非侵入式攻擊、半侵入式攻擊和侵入式攻擊,其中半侵入式攻擊處于非侵入式攻擊和侵入式攻擊之間,有著舉足輕重的地位,而光學(xué)錯(cuò)誤注入被認(rèn)為是目前半侵入式攻擊中最為有效地攻擊手段之一。所以如何做到精確的光攻擊,必然會(huì)出現(xiàn)相應(yīng)的攻擊設(shè)備,激光注入平臺(tái)便應(yīng)運(yùn)而生。攻擊平臺(tái)中激光光源分為1064nm和808nm兩個(gè)波段,其中1064nm針對(duì)芯片的背面進(jìn)行攻擊尤為有效,但是進(jìn)行該激光分析的前提是必須裸露出芯片的硅襯底部分。
針對(duì)芯片的錯(cuò)誤注入手段,激光錯(cuò)誤注入是最為精確且有效的一種,因此芯片投片前的驗(yàn)證,激光錯(cuò)誤注入是極為重要的環(huán)節(jié)。對(duì)芯片的激光注入可以分為芯片正面和芯片背面兩種,其中對(duì)芯片背面進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入分析時(shí),必須裸露出芯片的硅襯底部分,但是,在實(shí)際芯片在分析驗(yàn)證階段中,芯片設(shè)置在PCB上后,芯片的背面被擋住了,而激光無(wú)法注入到背面上,從而導(dǎo)致了激光錯(cuò)誤注入分析無(wú)法正常進(jìn)行。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種芯片測(cè)試裝置及其設(shè)計(jì)方法、故障注入分析方法,以解決現(xiàn)有的芯片在驗(yàn)證階段,都是貼片于PCB之上,造成芯片的背面硅襯底無(wú)法正常進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入分析的問(wèn)題。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種芯片測(cè)試裝置,應(yīng)用于芯片的安全測(cè)試分析,包括:PCB基板和待測(cè)試芯片,所述PCB基板包括用于安裝所述待測(cè)試芯片的安裝區(qū)域、輔助測(cè)試電路和引腳,所述引腳通過(guò)所述輔助測(cè)試電路與所述待測(cè)試芯片的輸出引腳電路電連接;
在所述安裝區(qū)域上還設(shè)有貫穿所述安裝區(qū)域的開(kāi)槽,且將安裝后的所述待測(cè)試芯片的襯底從所述安裝區(qū)域中裸露出來(lái)。
進(jìn)一步地,所述開(kāi)槽設(shè)于所述安裝區(qū)域的中間位置上,且所述開(kāi)槽的大小與所述待測(cè)試芯片的襯底的大小相配合。
進(jìn)一步地,所述芯片測(cè)試裝置還包括支撐板,所述支撐板設(shè)置于所述開(kāi)槽的位置上,并與所述開(kāi)槽的邊緣連接。
進(jìn)一步地,所述支撐板包括設(shè)置其表面上的貼合面,通過(guò)在所述貼合面上涂覆膠層將所述待測(cè)試芯片固定。
進(jìn)一步地,所述支撐板為形狀為凸字形的連接板。
進(jìn)一步地,所述連接板的凸起一側(cè)與所述開(kāi)槽的內(nèi)邊緣連接,并且在所述連接板與所述開(kāi)槽的內(nèi)邊緣之間形成一個(gè)U形縫隙。
進(jìn)一步地,在所述支撐板與所述開(kāi)槽的邊緣之間還設(shè)置有至少一個(gè)支撐點(diǎn),用于將所述支撐板固定在所述開(kāi)槽的中間空區(qū)域上。
進(jìn)一步地,當(dāng)所述至少一個(gè)支撐點(diǎn)的具體數(shù)量為兩個(gè)時(shí),所述兩個(gè)支撐點(diǎn)分別設(shè)置與所述支撐板上兩條相對(duì)的側(cè)邊上,并且在所述支撐板與所述開(kāi)槽的內(nèi)邊緣之間形成兩個(gè)對(duì)稱(chēng)分布的U形縫隙。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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