[發明專利]雙向可控硅結構在審
| 申請號： | 201810035310.5 | 申請日： | 2018-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN110047921A | 公開（公告）日： | 2019-07-23 |
| 發明（設計）人： | 杜飛波;王俊;蘇振江 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/747 | 分類號： | H01L29/747;H01L23/60;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京睿派知識產權代理事務所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 劉鋒 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜電放電 注入區 雙向可控硅 深N阱 觸發電壓 輔助觸發 改進型 鄰接 襯底 并列 申請 | ||
1.一種雙向可控硅結構，其特征在于，包括：
P型襯底；
深N阱，形成于P型襯底；
并列形成于所述深N阱并依次鄰接的第一N型阱區、第一P型阱區第二N型阱區、第二P型阱區和第三N型阱區；
形成于第一P型阱區的第一P型摻雜區和第一N型摻雜區；
形成于第二P型阱區的第二P型摻雜區和第二N型摻雜區；
第一P型靜電放電注入區，形成于第一P型阱區，摻雜濃度高于第一P型阱區并且低于第一P型摻雜區；
第二P型靜電放電注入區，形成于第二P型阱區，摻雜濃度高于第二P型阱區并且低于第二P型摻雜區；
第三N型摻雜區，形成于第一P型靜電放電注入區、第二N型阱區和第二P型靜電放電注入區，兩個相對的邊界分別位于所述第一P型靜電放電注入區和第二P型靜電放電注入區；
第一端子，與所述第一P型摻雜區和第一N型摻雜區耦接；
第二端子，與所述第二P型摻雜區和第二N型摻雜區耦接。
2.根據權利要求1所述的雙向可控硅結構，其特征在于，
所述第一P型靜電放電注入區的第一邊界位于第一P型阱區，與第一邊界相對的第二邊界位于第二N型阱區；
所述第二P型靜電放電注入區的第一邊界位于第二P型阱區，與第一邊界相對的第二邊界位于第二N型阱區。
3.根據權利要求1所述的雙向可控硅結構，其特征在于，
所述第一P型靜電放電注入區的第一邊界位于第一P型阱區，與第一邊界相對的第二邊界位于第一P型阱區與第二N型阱區的交界處；
所述第二P型靜電放電注入區的第一邊界位于第二P型阱區，與第一邊界相對的第二邊界位于第二P型阱區與第二N型阱區的交界處。
4.根據權利要求1所述的雙向可控硅結構，其特征在于，
所述第一P型靜電放電注入區的第一邊界和與所述第一邊界相對的第二邊界都位于第一P型阱區；
所述第二P型靜電放電注入區的第一邊界和與所述第一邊界相對的第二邊界都位于第二P型阱區。
5.根據權利要求1所述的雙向可控硅結構，其特征在于，所述第一P型摻雜區和第二P型摻雜區為P型重摻雜區。
6.根據權利要求1所述的雙向可控硅結構，其特征在于，所述第一N型摻雜區、第二N型摻雜區和第三N型摻雜區均為N型重摻雜區。
7.根據權利要求1所述的雙向可控硅結構，其特征在于，所述第三N型摻雜區與第一N型摻雜區之間通過淺槽隔離，與第二N型摻雜區之間通過淺槽隔離。
8.根據權利要求7所述的雙向可控硅結構，其特征在于，所述第一P型摻雜區和第一N型摻雜區之間通過淺槽隔離，所述第二P型摻雜區和第二N型摻雜區之間通過淺槽隔離。
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