[發明專利]高速和寬范圍電平偏移器

在審

• 申請號: 201810034946.8
• 申請日: 2018-01-15
• 公開（公告）號: CN110048707A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 李奕樂;雷愷;王曉峰;吳智
• 申請（專利權）人: 美國萊迪思半導體公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

本發明涉及一種高速和寬范圍電平偏移器。本公開的一些方面涉及一種裝置。該裝置包括第一推挽電路、第一反相器、第二推挽電路和第三推挽電路。第一推挽電路可操作接收第一電壓域的輸入信號，并且提供第二電壓域的第一中間信號。第二低壓域不同于第一電壓域。第一反相器可操作為基于第一中間信號提供第二電壓域的反相信號。第二推挽電路可操作為基于輸入信號和反向信號的中的至少一個提供第二電壓域的第二中間信號。第三推挽電路可操作為基于第一中間信號和第二中間信號中的至少一個提供輸出電壓信號。輸出電壓信號跟隨反相信號。

技術領域

本公開的實施例總體涉及電壓電平偏移器，并且更具體地，涉及用于鎖相環(PLL)的電壓電平偏移器。

背景技術

電子系統包括各種電子器件，諸如PLL和輸入/輸出(I/O)器件。這些器件可以電耦合，并且在不同的電壓域中操作。為了支持所有的這些器件，電壓電平偏移器被廣泛用于在不同電壓域之間偏移。常規電平偏移器包括交叉耦合的架構電路。然而，這些常規電平偏移器僅可以以低于100MHz的低速操作。

發明內容

本公開的實施例提供一種裝置和電子系統。裝置包括第一推挽電路、第一反相器、第二推挽電路和第三推挽電路。第一推挽電路可操作為接收第一電壓域的輸入信號并且提供第二電壓域的第一中間信號。第二電壓域不同于第一電壓域。第一反相器可操作為基于第一中間信號提供第二電壓域的反相信號。第二推挽電路可操作為基于輸入信號和反相信號中的至少一個提供第二電壓域的第二中間信號。第三推挽電路可操作為基于第一中間信號和第二中間信號中的至少一個提供輸出電壓信號。輸出電壓信號跟隨反相信號。

可以理解，本部分內容并不旨在于識別本公開的實現方式的關鍵或必要特征，也不旨在于用于限制本公開的范圍。本公開的其它一些特征根據下面的描述將變得易于理解。

附圖說明

本公開的上述和其它對象、特征和優勢將根據本公開的更為具體的描述的示例實施例和附圖而變得明顯，其中在本公開的示例實施例中，相似的數字經常用于表示相似的部件。

圖1示出了根據本公開的一個實施例的示例電子系統的環境；

圖2示出了常規電平偏移器的示例；

圖3示出了圖2的常規電平偏移器的變形例；

圖4示出了根據本公開的一個實施例的電平偏移器；

圖5示出了圖4所示的電平偏移器的變形例；

圖6示出了根據本公開的另一實施例的電平偏移器；以及

圖7示出了圖6所示的電平偏移器的變形例。

具體實施方式

在下文中，本公開將參考多個實施例進行論述。可以理解，這些實施例的論述用于使得本領域的普通技術人員更好地理解并且由此實施本公開，而非暗指對本公開的內容的任何限制。

如本文所使用的那樣，術語“包括”及其變體可以解釋為開放式的含義“包括但不限于”。術語“基于”應該被理解為“至少部分地基于”。術語“實施例”或“一個實施例”應該被理解為“至少一個實施例”。術語“另一個實施例”要被解讀為“至少一個其他實施例”。術語“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的對象。術語“原生晶體管(nativetransistor)”可以指代各種金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，其處于增強模式和耗盡模式的中間。原生晶體管是具有近零閾值電壓的晶體管。通常，原生晶體管可以是n溝道原生晶體管。術語“I/O晶體管”可以指代用于I/O器件的晶體管。I/O晶體管是相比于原生晶體管具有更高閾值電壓的晶體管。由于較厚的柵極氧化物所致，I/O晶體管的操作比原生晶體管更慢，但是可以耐受更高的電壓。術語“推挽電路”可以指代具有不同極性的連接的晶體管，其可操作為交替導通。下文還可能包括其他明確的和隱含的定義。