[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810033460.2
• 申請(qǐng)日: 2018-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN108305894B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金鐘壽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/41
• 分類號(hào): H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

一種半導(dǎo)體器件包括襯底和在襯底上形成的第一源極/漏極區(qū)。所述半導(dǎo)體器件還包括在第一源極/漏極區(qū)上形成的溝道以及在所述溝道上形成的第二源極/漏極區(qū)。所述半導(dǎo)體器件還包括在所述溝道的外表面上形成的柵電極以及在所述襯底上形成的金屬焊盤。所述金屬焊盤的上表面的高度與所述柵電極的上表面的長(zhǎng)度相同。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2017年1月13日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)No.62/445,960和于2017年12月15日提交的美國非臨時(shí)申請(qǐng)No.15/843,765的優(yōu)先權(quán)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明通常涉及具有金屬觸點(diǎn)的半導(dǎo)體器件和制造具有金屬觸點(diǎn)的半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)

在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，可以使用多個(gè)金屬觸點(diǎn)來將場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的柵極、漏極、源極觸點(diǎn)電連接到另一電路。例如，在垂直溝道FET中，所述多個(gè)金屬觸點(diǎn)可以包括柱狀結(jié)構(gòu)并且沿與半導(dǎo)體器件的襯底的表面垂直的方向設(shè)置。金屬觸點(diǎn)的尺寸可以彼此不同。為了形成具有不同尺寸的多個(gè)金屬觸點(diǎn)，可能需要多個(gè)蝕刻工藝。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括襯底以及在所述襯底上形成的第一源極/漏極區(qū)。所述半導(dǎo)體器件還包括在第一源極/漏極區(qū)上形成的溝道以及在所述溝道上形成的第二源極/漏極區(qū)。所述半導(dǎo)體器件還包括在所述溝道的外表面上形成的柵電極以及在所述襯底上形成的金屬焊盤。所述金屬焊盤的上表面的高度與所述柵電極的上表面的高度相同。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法包括：在襯底中形成第一源極/漏極區(qū)；以及在所述第一源極/漏極區(qū)上形成溝道。所述方法還包括在所述溝道上形成第二源極/漏極區(qū)。所述方法還包括：在所述溝道的外表面上形成柵電極，以及在所述襯底上形成金屬焊盤。形成所述柵電極和形成所述金屬焊盤同時(shí)發(fā)生。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。所述第一FET包括：在襯底上形成的第一底部源極/漏極區(qū)；包括外表面并且在所述第一底部源極/漏極區(qū)上形成的的第一溝道；在所述第一溝道上形成的第一上部源極/漏極區(qū)；以及在所述襯底上形成的第一金屬焊盤。所述半導(dǎo)體器件包括第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。所述第二FET包括：在所述襯底上形成的第二底部源極/漏極區(qū)；包括外表面并且在所述第二底部源極/漏極區(qū)上形成的的第二溝道；在所述第二溝道上形成的第二上部源極/漏極區(qū)；以及在所述襯底上形成的第二金屬焊盤。所述半導(dǎo)體器件還包括在所述第一溝道和所述第二溝道的外表面上形成的柵電極。所述第一金屬焊盤的高度和所述第二金屬焊盤的高度與所述柵電極的高度相同。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法包括：在襯底上形成第一空間層、硅化物層以及包括第一絕緣層和垂直溝道在內(nèi)的疊層。所述方法還包括：在所述第一空間層、所述硅化物層和所述疊層上形成柵極金屬層，以及在所述柵極金屬層和所述疊層上方形成第二間隔層。所述方法還包括：在所述第二間隔層上方形成有機(jī)平坦化層(OPL)，并且去除所述OPL的一部分、所述第二間隔層和所述柵極金屬層以暴露所述第一間隔層的一部分。所述方法還包括：去除所述OPL的剩余部分，并且在所述第二間隔層、所述柵極金屬層和所述疊層上方形成第三間隔層。所述方法還包括：在所述第二間隔層上方形成第二絕緣層，去除所述疊層的第一絕緣層，在所述垂直溝道上形成上部源極/漏極區(qū)，以及在所述第二源極/漏極區(qū)上形成第四間隔層。所述方法還包括：在所述第二源極/漏極區(qū)上形成第三絕緣層，在所述硅化物層和所述第一間隔層上同時(shí)形成第一孔和第二孔，以及在所述第二源極/漏極區(qū)上形成第三孔。所述硅化物層上的柵極金屬層的高度與所述第一間隔層上的柵極金屬層的高度相同。