[發(fā)明專利]化學(xué)放大膠組合物及其在紫外光刻的應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810032040.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110032040B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊國(guó)強(qiáng);袁華;彭曉曼;王亞飛;王亮乾;許箭;郭旭東;王雙青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | G03F7/004 | 分類號(hào): | G03F7/004;G03F7/039;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 劉元霞 |
| 地址: | 100190 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化學(xué) 放大 組合 及其 紫外 光刻 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明涉及一系列以四苯基呋喃、四苯基吡咯、四苯基噻吩、五苯基吡啶、四苯基雙酚A、杯芳烴型雙酚A為核的分子玻璃化合物為主體材料,輔以光致產(chǎn)酸劑、溶劑等組合而成的化學(xué)放大型光刻膠組合物。將該光刻膠組合物旋涂于基片上可制得厚度均勻的光刻膠薄膜,應(yīng)用于200?450nm的紫外光源曝光,尤其適用于365nm I線光刻、248nm深紫外光刻、436nm G線光刻等遠(yuǎn)場(chǎng)及近場(chǎng)光刻技術(shù),諸如紫外曝光機(jī)、365nm激光直寫(xiě)近場(chǎng)光刻、365nm激光干涉光刻等紫外光刻技術(shù)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及多種以分子玻璃為主體材料,輔以光致產(chǎn)酸劑、溶劑等混合而成的化學(xué)放大型光刻膠組合物配方,應(yīng)用于200-450nm的紫外光源曝光,尤其適用于365nm I線光刻、248nm深紫外光刻、436nm G線光刻等遠(yuǎn)場(chǎng)及近場(chǎng)光刻技術(shù),諸如紫外曝光機(jī)、365nm激光直寫(xiě)近場(chǎng)光刻、365nm激光干涉光刻等紫外光刻技術(shù)。
背景技術(shù)
紫外光刻技術(shù)是工業(yè)和科研上常用來(lái)制備亞微米結(jié)構(gòu)的方法,其采用汞燈光源或者365nm激光光源,光源穩(wěn)定制造成本低,是亞微米結(jié)構(gòu)制備技術(shù)的不二之選。其曝光方式有接觸式曝光,鄰近式曝光和投影式曝光。365nm曝光機(jī)即應(yīng)用的接觸式曝光。這些曝光方式受到以波長(zhǎng)為代表的光學(xué)分辨率極限限制。為了實(shí)現(xiàn)使用低成本曝光技術(shù)得到更精細(xì)的納米結(jié)構(gòu)的目的,科研工作者們開(kāi)發(fā)了很多突破光學(xué)分辨率極限的方法。干涉光刻和近場(chǎng)光刻就是其中兩種。干涉光刻設(shè)備簡(jiǎn)單、不需要光學(xué)掩膜,其理論分辨率取決于干涉光波長(zhǎng)和入射角,實(shí)際可以通過(guò)優(yōu)化光刻工藝提高分辨率,比如增大曝光劑量閾值可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)小于1/4光波長(zhǎng)的圖形分辨率。近場(chǎng)光刻是相對(duì)于遠(yuǎn)場(chǎng)光刻而言,將掩膜與光刻膠間的間隙控制在光波長(zhǎng)以下甚至為零,掩膜圖形可以忠實(shí)地成像于光刻膠表面,其圖形分辨率不再與入射光波長(zhǎng)有關(guān),而只取決于掩膜的圖形尺寸。
目前商用的I線光刻膠主要是由線性酚醛樹(shù)脂、重氮萘醌型感光劑、溶劑以及一些添加劑如溶解促進(jìn)劑、表面活性劑或者紫外線吸收劑等組成。其原理是非曝光區(qū)的重氮萘醌的疏水作用力及與酚醛樹(shù)脂的氫鍵、靜電、偶合作用等抑制其在顯影液中的溶解,而曝光區(qū)的重氮基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩陲@影液中進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐峄人幔M(jìn)一步促進(jìn)了酚醛樹(shù)脂的溶解,從而實(shí)現(xiàn)溶解度的反差,得到正性光刻圖形。這類光刻膠通常感光不靈敏,加入的感光劑量很大甚至達(dá)到50%的含量。而且高分子的分子量分布不一,在光刻精密圖形時(shí),會(huì)存在線邊緣粗糙降低分辨率等問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有紫外光刻膠的不足,豐富紫外光刻膠的種類,滿足更高性能的需求,本發(fā)明以分子玻璃化合物為主體材料,輔以光致產(chǎn)酸劑等,以達(dá)到提高靈敏度、分辨率、線邊緣粗糙度、穩(wěn)定性等目的。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種化學(xué)放大型光刻膠組合物,包括主體材料、光致產(chǎn)酸劑、溶劑,所述主體材料為選自通式(I)、(II)、(III)、(IV)所示的化合物中的一種或多種,
其中,X獨(dú)立地選自NH、S或O,Y為N,R獨(dú)立地選自H、OH、酸敏基團(tuán),且至少一個(gè)R為酸敏基團(tuán),所述酸敏基團(tuán)優(yōu)選自如下結(jié)構(gòu):-O-CO-OC1-20烷基(例如)或-O-CO-C1-20烷基;
Z獨(dú)立地選自H、C1-8烷基、-COOC1-8烷基(例如)、R’獨(dú)立地選自H、OH或酸敏基團(tuán),且至少一個(gè)R’為酸敏基團(tuán),所述酸敏基團(tuán)獨(dú)立的優(yōu)選自-OC1-8烷基、-OCOOC1-8烷基(例如)、
所述的烷基為直鏈或支鏈烷基,例如,甲基、乙基、丙基、丁基、異丁基、叔丁基等。
所述光致產(chǎn)酸劑為對(duì)200-450nm的紫外波段有響應(yīng),并具有一定的光致產(chǎn)氫量子產(chǎn)率和酸擴(kuò)散系數(shù)。可選為等化合物中的一種或幾種。
根據(jù)本發(fā)明,所述光致產(chǎn)酸劑優(yōu)選為
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
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