[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201810031872.2
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN108346635B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 陳碩懋;許峰誠;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/528;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蔣林清

本發明實施例涉及半導體結構及其制造方法。本揭露提供一種半導體封裝裝置，所述半導體封裝裝置包含中介層裸片。所述中介層裸片包含半導體襯底及延伸穿過所述半導體襯底的多個貫穿硅通路TSV。所述半導體封裝裝置還包含：半導體裸片，其與所述中介層裸片間隔開；第一重布層，其安置在所述中介層裸片的第一側上且將所述中介層裸片與所述半導體裸片電耦合；及第二重布層，其位于所述中介層裸片的與所述第一側相對的第二側上。

技術領域

本發明實施例涉及半導體結構及其制造方法。

背景技術

涉及半導電裝置的電子裝備對于許多現代應用來說是必不可少的。材料及設計方面的技術進步已生產出若干代半導電裝置，其中每一代均具有比前一代更小且更復雜的電路。在進步與創新過程中，功能密度(即，每芯片面積的互連裝置數目)普遍增大，而幾何大小(即，可使用制作工藝產生的最小組件)被減小。這些進步增加了處理及制造半導電裝置的復雜性。另外，通過封裝半導體裸片或芯片來制作半導體裝置持續變得日益復雜。

發明內容

本發明的一實施例揭露一種半導體封裝裝置，所述半導體封裝裝置包括：中介層裸片，其包括半導體襯底及延伸穿過所述半導體襯底的多個貫穿硅通路(TSV)；半導體裸片，其與所述中介層裸片間隔開；第一重布層，其安置在所述中介層裸片的第一側上且將所述中介層裸片與所述半導體裸片電耦合；及第二重布層，其位于所述中介層裸片的與所述第一側相對的第二側上。

本發明的另一實施例揭露一種半導體封裝裝置，所述半導體封裝裝置包括：第一重布層；中介層裸片，其安置在所述第一重布層上方，所述中介層裸片彼此間隔開，且所述中介層裸片中的每一者包括襯底及耦合到所述襯底的重布層；第一半導體裸片，其安置在所述中介層裸片上方且電耦合到所述中介層裸片；及模制材料，其囊封所述中介層裸片及所述第一半導體裸片。

本發明的另一實施例揭露一種制造半導體封裝裝置的方法，所述方法包括：使用襯底來形成中介層裸片，所述中介層裸片包括所述襯底中的多個導電通路；將第一半導體裸片及所述中介層裸片接合到第一RDL；囊封所述第一RDL、所述第一半導體裸片及所述中介層裸片；在第一半導體裸片及所述中介層裸片上方與所述第一RDL相對的側上形成第二RDL；將第二半導體裸片與所述第一RDL接合；囊封所述第二半導體裸片；及形成外部連接件以通過所述第二RDL電耦合到所述第一半導體裸片及所述中介層裸片。

附圖說明

當隨著附圖一起閱讀時，依據以下詳細說明最佳地理解本揭露的方面。注意，根據產業的標準慣例，各種構件未按比例繪制。事實上，為論述的清晰起見，可任意地增加或減小各種構件的尺寸。

圖1A到1D是根據一些實施例的針對制造半導體結構的方法的中間結構的橫截面圖。

圖2A到2D是根據一些實施例的針對制造半導體結構的方法的中間結構的橫截面圖。

圖3A到3H是根據一些實施例的針對制造半導體結構的方法的中間結構的橫截面圖。

圖4A到4F是根據一些實施例的針對制造半導體結構的方法的中間結構的橫截面圖。

圖4G是根據一些實施例的針對制造半導體結構的方法的中間結構的橫截面圖。

圖5A到5K是根據一些實施例的針對制造半導體封裝裝置的方法的中間結構的橫截面圖。

圖6是根據一些實施例的半導體封裝裝置的示意性橫截面圖。

圖7A到7F是根據一些實施例的針對制造半導體封裝裝置的方法的中間結構的橫截面圖。

圖7G是根據一些實施例的半導體封裝裝置的示意性橫截面圖。

圖7H是根據一些實施例的半導體封裝裝置的示意性橫截面圖。

圖8A到8F是根據一些實施例的針對制造半導體封裝裝置的方法的中間結構的橫截面圖。