[發明專利]一種基片固定裝置在審
| 申請號: | 201810031427.6 | 申請日: | 2018-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN108074860A | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 劉旭;蒲春 | 申請(專利權)人: | 北京創昱科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;張應 |
| 地址: | 102299 北京市昌平*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 邊框槽 遮擋 基片固定裝置 壓緊 邊框 鍍膜要求 內側邊緣 外側邊緣 彈性件 基片槽 保證 變小 貼緊 壓塊 載板 失敗 | ||
本發明公開了一種基片固定裝置,載板的各個邊框槽的深度不同,即各個邊框槽的外側邊緣與對應的邊框的內側邊緣的距離不盡相同,在實際放置基片時,可將基片向深度較小的邊框槽靠近或貼緊放置,即首先保證基片在深度較小邊框槽處無效邊被遮擋,即可保證各個無效邊被遮擋,如此即可避免基片放置到基片槽中之后的遮擋無效邊區域變小、甚至遮擋失敗的情況,滿足鍍膜要求;另外,在基片與壓塊之間設置彈性件,可保證始終對基片實現壓緊,從而解決基片厚度的差異會造成基片無法同時壓緊的情況。
技術領域
本發明涉及太陽能電池加工領域,尤其涉及一種基片固定裝置。
背景技術
物理氣相沉積(PVD)是指利用物理過程實現物質轉移,將原子或分子轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以使某些有特殊性能(強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等)的微粒噴涂在性能較低的母體上,使得母體具有更好的性能。PVD基本方法一般包括:真空蒸發、濺射、離子鍍等。
傳統的半導體或太陽能設備中,經常有基片鍍膜時,需要對基片四周無效邊(無需鍍膜)進行遮擋的需求,一般通過方框形的載板遮擋基片四周的無效邊,中間部分則為待鍍膜區域,而載板上設置放置基片的基片槽,且通過壓塊進行固定,載板和壓塊之間可以裝載若干片基片,通過這樣一個結構實現基片的固定和鍍膜無效邊的遮擋。
在通常的應用中,載板上的基片槽的尺寸一般比基片本身略大,在GaAs柔性太陽能電池片的生產中,柔性太陽能電池片是從GaAs基片上經過特定生長程式后剝離而來,而GaAs基片在每一輪使用后,會經過拋光和清洗,反復使用,從而達到高效利用、降低成本的目的。但是多次循環使用后,GaAs基片會出現尺寸磨損后變小的情況,且由于工況和個體差異的客觀存在,基片變小的情況會存在差異。
這樣,鍍膜的對象就是若干個大小均有差異的GaAs基片,基片大小的差異會造成無法滿足無效邊遮擋需求,無法達到鍍膜要求。如當較小的基片放置到基片槽中之后,會發現遮擋無效邊區域變小,甚至遮擋失敗的情況。
發明內容
本發明的目的是提供一種基片固定裝置,以解決現有技術中的問題,保證載板能夠對基片的無效邊進行有效遮擋。
本發明提供了一種基片固定裝置,所述基片固定裝置包括:
由四個邊框圍成的載板,所述邊框圍成與待鍍膜區域對應的基片槽,沿所述基片槽的邊緣在所述邊框與基片相鄰的一側分別設置有對應的邊框槽,所述邊框槽用于承載所述基片;
至少一個邊框槽的深度小于其他邊框槽的深度。
作為優選,所述基片固定裝置還包括壓塊,所述壓塊設置在所述基片與所述待鍍膜區域相反的一側,且所述壓塊與所述載板壓合,用于壓緊固定基片。
作為優選,所述載板為正方形,相鄰兩個所述邊框槽深度相等,且小于其他兩個所述邊框槽深度。
作為優選,所述基片固定裝置還包括彈性件,所述彈性件設置在所述基片與所述壓塊之間。
作為優選,所述彈性件上表面與所述基片表面貼合,將所述基片壓緊在所述載板上。
作為優選,所述彈性件包括基座、彈簧、壓柱,所述基座設置在所述壓塊上,所述壓柱與所述基片相貼,所述彈簧位于所述基座與所述壓柱之間。
作為優選,所述壓塊上設置有安裝槽,所述基座位于所述安裝槽內。
作為優選,所述彈性件還包括頂部設置有通孔的安裝罩,所述安裝罩扣裝在所述壓柱上,所述壓柱從所述通孔伸出并與所述基片相貼,所述安裝罩的外壁設置有外螺紋,所述安裝槽的內壁設置有內螺紋,所述安裝罩與所述安裝槽螺紋配合。
作為優選,所述安裝罩伸入所述安裝槽的一端的端部設置有限位卡邊,所述安裝槽的內壁設置有限位卡槽,所述限位卡邊與所述限位卡槽配合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





