[發明專利]包括浮置導電圖案的半導體發光裝置

有效

• 申請號: 201810030167.0
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN108305925B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 成永圭;金載潤;金臺勛;龍戡翰;李東烈;李守烈
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/38
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

本申請提供了一種包括浮置導電圖案的半導體發光裝置。所述半導體發光裝置包括：第一半導體層，其包括凹陷區和突出區；布置在突出區上的有源層和第二半導體層；布置在第二半導體層上的接觸結構；下絕緣圖案，其覆蓋第一半導體層和接觸結構，并且具有第一開口和第二開口；第一導電圖案，其布置在下絕緣圖案上，并且延伸至第一開口中；第二導電圖案，其布置在下絕緣圖案上，并且延伸至第二開口中；以及浮置導電圖案，其布置在下絕緣圖案上。第一導電圖案和第二導電圖案以及浮置導電圖案在相同的平面上具有相同的厚度。

相關申請的交叉引用

于2017年1月12日在韓國知識產權局提交的標題為“包括浮置導電圖案的半導體發光裝置”的韓國專利申請No.10-2017-0005361以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本公開涉及一種發光裝置，并且更具體地說，涉及一種包括浮置導電圖案的半導體發光裝置。

背景技術

已知半導體發光裝置是具有許多積極屬性的下一代光源，所述積極屬性例如壽命相對較長、低功耗、快響應速率、環保特性等。半導體發光裝置已用作各種產品(例如，照明裝置、顯示裝置的背光單元等)中的重要光源。

發明內容

根據本公開的一方面，一種半導體發光裝置包括：第一半導體層，其包括凹陷區和突出區；有源層和第二半導體層，它們按次序堆疊在第一半導體層的突出區上；布置在第二半導體層上的接觸結構；下絕緣圖案，其覆蓋第一半導體層和接觸結構，并且具有暴露出第一半導體層的接觸區的第一開口和暴露出接觸結構的接觸區的第二開口；第一導電圖案，其布置在下絕緣圖案上，并且延伸至下絕緣圖案的第一開口中，以電連接至第一半導體層的接觸區；第二導電圖案，其布置在下絕緣圖案上，并且延伸至下絕緣圖案的第二開口中，以電連接至接觸結構；以及浮置導電圖案，其布置在下絕緣圖案上，并且與第一導電圖案間隔開。第一導電圖案和第二導電圖案以及浮置導電圖案在相同的平面上具有彼此相同的厚度。

根據本公開的一方面，一種半導體發光裝置包括：第一半導體層，其包括第一區和第二區，并且包括當從上面觀看時在逆時針方向上按次序排列的第一角、第二角、第三角和第四角；有源層和第二半導體層，它們按次序堆疊在第一半導體層的第二區上；布置在第二半導體層上的接觸結構；下絕緣圖案，其覆蓋第一半導體層和接觸結構，并且具有暴露出第一半導體層的接觸區的第一開口和暴露出接觸結構的接觸區的第二開口；以及第一導電圖案、第二導電圖案和浮置導電圖案，它們布置在下絕緣圖案上，并且彼此間隔開。第一導電圖案和第二導電圖案以及浮置導電圖案在相同的平面上具有彼此相同的厚度。第一導電圖案延伸至下絕緣圖案的第一開口中，以電連接至第一半導體層的接觸區。第二導電圖案延伸至下絕緣圖案的第二開口中，以電連接至接觸結構。浮置導電圖案包括布置在第一角和第二角與第一導電圖案之間的部分。

根據本公開的一方面，一種半導體發光裝置包括：第一半導體層，其包括凹陷區和突出區；有源層和第二半導體層，它們按次序堆疊在第一半導體層的突出區上；布置在第二半導體層的上表面上的接觸結構；下絕緣圖案，其覆蓋第一半導體層和接觸結構，并且具有暴露出第一半導體層的接觸區的第一開口和暴露出接觸結構的接觸區的第二開口；第一導電圖案，其布置在下絕緣圖案上并且延伸至下絕緣圖案的第一開口中，以電連接至第一半導體層的接觸區；第二導電圖案，其布置在下絕緣圖案上并且延伸至下絕緣圖案的第二開口中，以電連接至接觸結構；浮置導電圖案，其布置在下絕緣圖案上，并且與第一導電圖案間隔開。第一導電圖案和第二導電圖案以及浮置導電圖案在相同的平面上具有彼此相同的厚度。