[發(fā)明專利]包括浮置導(dǎo)電圖案的半導(dǎo)體發(fā)光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810030167.0
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN108305925B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 成永圭;金載潤;金臺勛;龍戡翰;李東烈;李守烈
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/38
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括：

第一半導(dǎo)體層，其包括凹陷區(qū)和突出區(qū)；

有源層和第二半導(dǎo)體層，它們按次序堆疊在所述第一半導(dǎo)體層的所述突出區(qū)上；

所述第二半導(dǎo)體層上的接觸結(jié)構(gòu)；

下絕緣圖案，其覆蓋所述第一半導(dǎo)體層和所述接觸結(jié)構(gòu)，所述下絕緣圖案具有暴露出所述第一半導(dǎo)體層的接觸區(qū)的第一開口和暴露出所述接觸結(jié)構(gòu)的接觸區(qū)的第二開口；

第一導(dǎo)電圖案，其位于所述下絕緣圖案上，并且延伸至所述下絕緣圖案的第一開口中，以電連接至所述第一半導(dǎo)體層的接觸區(qū)；

第二導(dǎo)電圖案，其位于所述下絕緣圖案上，并且延伸至所述下絕緣圖案的第二開口中，以電連接至所述接觸結(jié)構(gòu)；

浮置導(dǎo)電圖案，其位于所述下絕緣圖案上，并且與所述第一導(dǎo)電圖案間隔開；以及

上絕緣圖案，其覆蓋所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案以及所述浮置導(dǎo)電圖案，

其中，整個所述浮置導(dǎo)電圖案被所述下絕緣圖案和所述上絕緣圖案包圍且電絕緣，并在垂直于所述下絕緣圖案的上表面的方向上不與所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案重疊，并且當(dāng)從上面觀看時，所述浮置導(dǎo)電圖案包括鄰近于所述第一半導(dǎo)體層的拐角的部分，并且

其中，在相同的平面上，所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案以及所述浮置導(dǎo)電圖案具有相同的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，當(dāng)從上面觀看時，所述第一半導(dǎo)體層具有四邊形，并且包括在逆時針方向上按次序排列的第一角、第二角、第三角和第四角，并且包括所述第一角與所述第二角之間的第一邊、所述第二角與所述第三角之間的第二邊、所述第三角與所述第四角之間的第三邊以及所述第四角與所述第一角之間的第四邊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，當(dāng)從上面觀看時，所述浮置導(dǎo)電圖案的鄰近于所述第一半導(dǎo)體層的拐角的部分包括所述第一角與所述第一導(dǎo)電圖案之間的第一部分以及所述第二角與所述第一導(dǎo)電圖案之間的第二部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，當(dāng)從上面觀看時，所述浮置導(dǎo)電圖案的鄰近于所述第一半導(dǎo)體層的拐角的部分包括所述第一角與所述第一導(dǎo)電圖案之間的第一部分、所述第二角與所述第一導(dǎo)電圖案之間的第二部分，并且所述浮置導(dǎo)電圖案還包括將所述第一部分和所述第二部分彼此連接的連接部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，當(dāng)從上面觀看時，所述浮置導(dǎo)電圖案的鄰近于所述第一半導(dǎo)體層的拐角的部分包括所述第一角與所述第一導(dǎo)電圖案之間的第一部分、所述第二角與所述第一導(dǎo)電圖案之間的第二部分，并且所述浮置導(dǎo)電圖案還包括將所述第一部分和所述第二部分彼此連接的連接部分、從所述第一部分延伸至所述第四邊與所述第一導(dǎo)電圖案之間的空間的第一延伸部分以及從所述第二部分延伸至所述第二邊與所述第一導(dǎo)電圖案之間的空間的第二延伸部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，當(dāng)從上面觀看時，所述浮置導(dǎo)電圖案的鄰近于所述第一半導(dǎo)體層的拐角的部分包括所述第一導(dǎo)電圖案與所述第一邊之間的部分以及所述第二導(dǎo)電圖案與所述第三邊之間的部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，當(dāng)從上面觀看時，所述浮置導(dǎo)電圖案包圍所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述浮置導(dǎo)電圖案包括與所述凹陷區(qū)重疊的下部、與所述突出區(qū)的上表面重疊的上部以及在將所述下部和所述上部彼此連接的同時與所述突出區(qū)的側(cè)部重疊的傾斜部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述浮置導(dǎo)電圖案的所述上部與所述接觸結(jié)構(gòu)的上表面的一部分重疊。