[發(fā)明專利]雙操作模式功率放大設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810029410.7 | 申請日: | 2018-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN108696250A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 崔在爀 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H03F1/02 | 分類號: | H03F1/02;H03F3/21 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉奕晴;錢海洋 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率放大電路 偏置電流 偏置電路 功率放大設備 雙操作模式 配置 鎮(zhèn)流電路 放大輸入信號 單元放大器 傳輸 | ||
本公開提供一種雙操作模式功率放大設備,所述雙操作模式功率放大設備包括:功率放大電路,被配置為包括放大輸入信號的單元放大器;第一偏置電路,被配置為產(chǎn)生所述功率放大電路的第一偏置電流;第二偏置電路,被配置為產(chǎn)生所述功率放大電路的第二偏置電流,所述第二偏置電流為獨立于所述第一偏置電流的信號;第一鎮(zhèn)流電路,連接于所述第一偏置電路和所述功率放大電路之間,并且被配置為將所述第一偏置電流傳輸?shù)剿龉β史糯箅娐?;及第二?zhèn)流電路,連接于所述第二偏置電路和所述功率放大電路之間,并且被配置為將所述第二偏置電流傳輸?shù)剿龉β史糯箅娐贰?/p>
本申請要求于2017年3月31日提交到韓國知識產(chǎn)權局的第10-2017-0041601號韓國專利申請的優(yōu)先權的權益,所述韓國專利申請的全部公開內(nèi)容出于所有目的通過引用被包含于此。
技術領域
以下描述涉及一種在移動裝置中使用的雙操作模式功率放大設備。
背景技術
通常,根據(jù)無線通信技術的發(fā)展,已經(jīng)使用第三代(3G)移動通信和諸如長期演進(LTE)等的第四代(4G)移動通信。根據(jù)4G移動通信網(wǎng)絡的增加,數(shù)據(jù)使用已經(jīng)增加,使得在諸如蜂窩電話的移動裝置中消耗的電流的量已經(jīng)增大。因此,已經(jīng)逐漸地開展對減小所消耗的電流的方法的研究。
通常,諸如蜂窩電話的移動裝置包括放大傳輸信號的功率的功率放大設備。
功率放大設備可通過包括多個單元放大器以及驅(qū)動單元放大器的高功率偏置電路和低功率偏置電路以在高功率操作模式或低功率操作模式下操作。
多個單元放大器通過一個段鎮(zhèn)流電阻器(segment ballast resistor)從高功率偏置電路和低功率偏置電路中的每個接收偏置電流。
段鎮(zhèn)流電阻器可對功率放大設備的相鄰信道泄漏比(ACLR)性能具有影響并且可改善多個單元放大器之間的隔離度以減輕在多個單元放大器之間會產(chǎn)生的回路。
然而,由于現(xiàn)有的功率放大設備在高功率操作模式和低功率操作模式中的每個中通過一個段鎮(zhèn)流電阻器操作,因此現(xiàn)有的功率放大設備不可以提供對高功率操作模式和低功率操作模式中的每個最優(yōu)的狀態(tài)。
也就是說,現(xiàn)有的功率放大設備包括共同連接到多個單元放大器的一個段鎮(zhèn)流電阻器,導致多個單元放大器、高功率偏置電路和低功率偏置電路在高功率操作模式和低功率操作模式的每個中對彼此具有影響。因此,有必要改善隔離度。
作為示例,在現(xiàn)有的功率放大設備被設計為適合于高功率操作模式的情況下,當現(xiàn)有的功率放大設備在低功率操作模式下操作時,ACLR性能劣化。
因此,為了改善低功率操作模式下的ACLR性能,電流被進一步消耗。
發(fā)明內(nèi)容
提供本發(fā)明內(nèi)容以按照簡化的形式對所選擇的構思進行介紹,并在以下具體實施方式中進一步描述所述構思。本發(fā)明內(nèi)容既不意在限定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征,也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。
在一個總體方面中,一種雙操作模式功率放大設備包括:功率放大電路,被配置為包括放大輸入信號的單元放大器;第一偏置電路,被配置為產(chǎn)生所述功率放大電路的第一偏置電流;第二偏置電路,被配置為產(chǎn)生所述功率放大電路的第二偏置電流,所述第二偏置電流為獨立于所述第一偏置電流的信號;第一鎮(zhèn)流電路,連接于所述第一偏置電路和所述功率放大電路之間,并且被配置為將所述第一偏置電流傳輸?shù)剿龉β史糯箅娐?;及第二?zhèn)流電路,連接于所述第二偏置電路和所述功率放大電路之間,并且被配置為將所述第二偏置電流傳輸?shù)剿龉β史糯箅娐贰?/p>
所述第一鎮(zhèn)流電路可被配置為包括第一高功率鎮(zhèn)流電阻器,所述第二鎮(zhèn)流電路被配置為包括第一低功率鎮(zhèn)流電阻器。
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