[發(fā)明專利]雙操作模式功率放大設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810029410.7
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN108696250A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔在爀
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會社
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F3/21
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉奕晴;錢海洋

1.一種雙操作模式功率放大設(shè)備，包括：

功率放大電路，被配置為包括放大輸入信號的單元放大器；

第一偏置電路，被配置為產(chǎn)生所述功率放大電路的第一偏置電流；

第二偏置電路，被配置為產(chǎn)生所述功率放大電路的第二偏置電流，所述第二偏置電流為獨(dú)立于所述第一偏置電流的信號；

第一鎮(zhèn)流電路，連接于所述第一偏置電路和所述功率放大電路之間，并且被配置為將所述第一偏置電流傳輸?shù)剿龉β史糯箅娐罚患?/p>

第二鎮(zhèn)流電路，連接于所述第二偏置電路和所述功率放大電路之間，并且被配置為將所述第二偏置電流傳輸?shù)剿龉β史糯箅娐贰?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙操作模式功率放大設(shè)備，其中，所述第一鎮(zhèn)流電路被配置為包括第一高功率鎮(zhèn)流電阻器，所述第二鎮(zhèn)流電路被配置為包括第一低功率鎮(zhèn)流電阻器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙操作模式功率放大設(shè)備，其中，所述第一偏置電路包括：

彼此串聯(lián)連接于第一操作電壓端子和地之間的第一電流源、第一漏極電阻器、具有二極管接法的第一晶體管和第二晶體管以及第一接地電阻器；

第三晶體管，按照電流鏡像結(jié)構(gòu)連接于所述第一晶體管；及

第一電容器，連接于所述第三晶體管的柵極和地之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙操作模式功率放大設(shè)備，其中，所述第二偏置電路包括：

彼此串聯(lián)連接于第二操作電壓端子和地之間的第二電流源、第二漏極電阻器以及具有二極管接法的第四晶體管和第五晶體管；

第六晶體管，按照電流鏡像結(jié)構(gòu)連接到所述第四晶體管；及

第二電容器，連接于所述第六晶體管的柵極和地之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙操作模式功率放大設(shè)備，其中，所述第一鎮(zhèn)流電路具有第一電阻值，所述第一電阻值被設(shè)置為在所述雙操作模式功率放大設(shè)備的高功率操作模式期間使所述第一偏置電路和所述第二偏置電路彼此隔離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙操作模式功率放大設(shè)備，其中，所述第二鎮(zhèn)流電路具有第二電阻值，所述第二電阻值被設(shè)置為在所述雙操作模式功率放大設(shè)備的低功率操作模式期間使所述第一偏置電路和所述第二偏置電路彼此隔離。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙操作模式功率放大設(shè)備，其中，所述第一鎮(zhèn)流電路具有第一電阻值，所述第一電阻值被配置為在所述雙操作模式功率放大設(shè)備的高功率操作模式期間將所述功率放大電路的相鄰信道泄漏比保持在特定水平。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙操作模式功率放大設(shè)備，其中，所述第二鎮(zhèn)流電路具有第二電阻值，所述第二電阻值被配置為在所述雙操作模式功率放大設(shè)備的低功率操作模式期間將所述功率放大電路的相鄰信道泄漏比保持在特定水平。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙操作模式功率放大設(shè)備，其中，所述第一鎮(zhèn)流電路在所述雙操作模式功率放大設(shè)備的高功率操作模式期間調(diào)節(jié)所述第一偏置電路和所述功率放大電路之間的所述第一偏置電流的量，并且

所述第二鎮(zhèn)流電路在所述雙操作模式功率放大設(shè)備的低功率操作模式期間調(diào)節(jié)所述第二偏置電路和所述功率放大電路之間的所述第二偏置電流的量。