[發明專利]一種用于冗余修復的控制電路及其冗余修復方法

有效

• 申請號: 201810029279.4
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN108091368B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 胡劍
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C29/44;G11C29/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

本發明公開了一種用于冗余修復的控制電路及其冗余修復方法，所述控制電路根據損壞的存儲子塊的奇偶特征和所選擇的冗余子塊的奇偶特征確定高壓控制信號INNERCELL的極性，本發明可以克服現有技術中RDN修復時的限制，提高RDN修復的利用率。

技術領域

本發明涉及存儲單元冗余修復技術領域，特別是涉及一種用于冗余修復的控制電路及其冗余修復方法。

背景技術

圖1、圖2為現有技術的冗余陣列RDN和主存儲陣列示意圖，當操作A7＝0對應的子塊(sector)的第一列時，如果操作CG00這一行的第一列，則位線BL10加高壓而位線BL00加低壓，如果操作CG10這一行的第一列，則位線BL10加低壓而位線BL00加高壓；而操作A7＝1對應的子塊(sector)的第一列時，如果操作CG01這一行的第一列，則位線BL10加低壓而位線BL00加高壓，如果操作CG11這一行的第一列，則位線BL10加高壓而位線BL00加低壓。從加高壓的角度看，操作A7＝0對應的偶數子塊(sector)的第一列的CG0行所加位線電壓與操作A7＝1對應的奇數子塊(sector)的第一列的CG1行所加位線電壓相同，定義這樣的相鄰子塊的單元為外側存儲單元Outer-cell，高壓控制信號INNERCELL置高；而操作A7＝0對應的偶數子塊(sector)的第一列的CG1行所加位線電壓與操作A7＝1對應的奇數子塊(sector)的第一列的CG0行所加位線電壓相同，定義這樣的相鄰子塊的單元為內側存儲單元Inner-cell，高壓控制信號INNERCELL置低。這里需說明的是，地址A7和A6只是具體舉個例子，實際可以是其他地址，如果CG(CG0和CG1)的地址是A_X，WL的地址就是A_X+1。

正因為位線電壓的限制，當A7＝0對應的偶數子塊(sector)損壞時，只能選擇相同奇偶特征的冗余子塊來替換，即選擇RDN0/2/4……這樣的偶數冗余子塊(sector)來修復，而當A7＝0對應的奇數子塊(sector)損壞時，只能選擇相同奇偶特征的子塊來替換，即選擇RDN1/3/5……這樣的奇數冗余子塊(sector)來修復。這種修復限制將造成冗余陣列的浪費。

發明內容

為克服上述現有技術存在的不足，本發明之目的在于提供一種用于冗余修復的控制電路及其冗余修復方法，以克服RDN修復時的限制，提高RDN修復的利用率。

為達上述及其它目的，本發明提出一種用于冗余修復的控制電路，所述控制電路根據損壞的存儲子塊的奇偶特征和所選擇的冗余子塊的奇偶特征確定高壓控制信號INNERCELL的極性。

進一步地，所述控制電路包括與非門I0、非門I411、I1、I5以及或非門I441、I2、I3、I4，冗余子塊選擇信號RDNSEL0、RDNSEL2連接至所述或非門I441的輸入端，所述或非門I441的輸出端連接至所述非門I411的輸入端，所述非門I411的輸出端連接至所述與非門I0的一輸入端，A_X+1連接至所述與非門I0的另一輸入端，所述與非門I0的輸出端連接至所述非門I1的輸入端，所述非門I1的輸出端連接至所述或非門I4的一輸入端；冗余子塊選擇信號RDNSEL1、RDNSEL3連接至所述或非門I2的輸入端，所述或非門I2的輸出端連接至所述或非門I3的輸入端，A_X+1連接至所述或非門I3的另一輸入端，所述或非門I3的輸出端連接至所述或非門I4的另一輸入端；所述或非門I4的輸出端連接至所述非門I5的輸入端，所述非門I5的輸出端即內外側交換控制信號INNERCELL_CHANGE。

進一步地，當A_X+1＝0對應的偶數子塊損壞時，如果選擇偶數冗余行子塊進行修復時，即RDNSEL0或者RDNSEL2為高，所述控制電路輸出的內外側交換控制信號INNERCELL_CHANGE為低，其與高壓控制信號INNERCELL進行異或運算后其輸出不改變原高壓控制信號INNERCELL的邏輯電平，譯碼電路按邏輯在對應的內側或外側存儲單元的位線加高壓或低壓。