[發明專利]一種用于冗余修復的控制電路及其冗余修復方法

有效

• 申請號: 201810029279.4
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN108091368B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 胡劍
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C29/44;G11C29/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種用于冗余修復的控制電路，其特征在于：所述控制電路根據損壞的存儲子塊的奇偶特征和所選擇的冗余子塊的奇偶特征確定高壓控制信號INNERCELL的極性；若損壞的存儲子塊的奇偶特征和所選擇的冗余子塊的奇偶特征相同，譯碼電路則在對應的內側或外側存儲單元的位線加高壓或低壓；否則，譯碼電路按邏輯在相反的內側或外側存儲單元的位線加高壓或低壓。

2.如權利要求1所述的一種用于冗余修復的控制電路，其特征在于：所述控制電路包括與非門I0、非門I411、I1、I5以及或非門I441、I2、I3、I4，冗余子塊選擇信號RDNSEL0、RDNSEL2連接至所述或非門I441的輸入端，所述或非門I441的輸出端連接至所述非門I411的輸入端，所述非門I411的輸出端連接至所述與非門I0的一輸入端，A_X+1連接至所述與非門I0的另一輸入端，所述與非門I0的輸出端連接至所述非門I1的輸入端，所述非門I1的輸出端連接至所述或非門I4的一輸入端；冗余子塊選擇信號RDNSEL1、RDNSEL3連接至所述或非門I2的輸入端，所述或非門I2的輸出端連接至所述或非門I3的輸入端，A_X+1連接至所述或非門I3的另一輸入端，所述或非門I3的輸出端連接至所述或非門I4的另一輸入端；所述或非門I4的輸出端連接至所述非門I5的輸入端，所述非門I5的輸出端即內外側交換控制信號INNERCELL_CHANGE。

3.如權利要求2所述的一種用于冗余修復的控制電路，其特征在于：當A_X+1＝0對應的偶數子塊損壞時，如果選擇偶數冗余行子塊進行修復時，即RDNSEL0或者RDNSEL2為高，所述控制電路輸出的內外側交換控制信號INNERCELL_CHANGE為低，其與高壓控制信號INNERCELL進行異或運算后其輸出不改變原高壓控制信號INNERCELL的邏輯電平，譯碼電路按邏輯在對應的內側或外側存儲單元的位線加高壓或低壓。

4.如權利要求3所述的一種用于冗余修復的控制電路，其特征在于：當A_X+1＝1對應的奇數子塊損壞時，如果選擇奇數冗余行子塊進行修復時，即RDNSEL1或者RDNSEL3為高，所述控制電路輸出的內外側交換控制信號INNERCELL_CHANGE為低，其與高壓控制信號INNERCELL進行異或運算后其輸出不改變原高壓控制信號INNERCELL的邏輯電平，譯碼電路按邏輯在對應的內側或外側存儲單元的位線加高壓或低壓。

5.如權利要求4所述的一種用于冗余修復的控制電路，其特征在于：當A_X+1＝0對應的偶數子塊損壞時，如果選擇奇數冗余行子塊(sector)進行修復時，即RDNSEL1或者RDNSEL3為高而RDNSEL0或者RDNSEL2為低，所述控制電路輸出的內外側交換控制信號INNERCELL_CHANGE為高，其與高壓控制信號INNERCELL進行異或運算后其輸出會改變原高壓控制信號INNERCELL的邏輯電平，譯碼電路按邏輯在相反的內側或外側存儲單元的位線加高壓或低壓。

6.如權利要求5所述的一種用于冗余修復的控制電路，其特征在于：當A_X+1＝1對應的奇數子塊損壞時，如果選擇偶數冗余行子塊進行修復時，即RDNSEL0或者RDNSEL2為高而RDNSEL1或者RDNSEL3為低，所述控制電路輸出的內外側交換控制信號INNERCELL_CHANGE為高，其與高壓控制信號INNERCELL進行異或運算后其輸出會改變原高壓控制信號INNERCELL的邏輯電平，譯碼電路按邏輯在相反的內側或外側存儲單元的位線加高壓或低壓。

7.一種用于冗余修復的控制電路的冗余修復方法，包括如下步驟：

步驟一，確定損壞的子塊的奇偶特征和所選擇的冗余子塊的奇偶特征；

步驟二，根據損壞的子塊的奇偶特征和所選擇的冗余子塊的奇偶特征來確定高壓控制信號INNERCELL的極性；若損壞的存儲子塊的奇偶特征和所選擇的冗余子塊的奇偶特征相同，譯碼電路則在對應的內側或外側存儲單元的位線加高壓或低壓；否則，譯碼電路按邏輯在相反的內側或外側存儲單元的位線加高壓或低壓。