[發(fā)明專利]多芯片晶片級封裝及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810022467.4
• 申請日: 2018-01-10
• 公開（公告）號: CN109727964A
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 陳碩懋;許峯誠;黃翰祥;劉獻文;鄭心圃;李孝文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L21/98
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種多芯片晶片級封裝，其特征在于包括：

第一層級，包括第一重布線層結構及位于所述第一重布線層結構之上的至少一個芯片；以及

第二層級，包括第二重布線層結構以及位于所述第二重布線層結構之上的至少兩個其他芯片，

其中所述第一層級接合到所述第二層級，使得所述至少一個芯片在實體上接觸所述第二重布線層結構，且

其中所述至少兩個其他芯片的連接件的總數(shù)目大于所述至少一個芯片的連接件的總數(shù)目。