[發(fā)明專利]基板處理裝置及其旋轉(zhuǎn)臺在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810022340.2 | 申請日: | 2018-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN110021535A | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 蘇俊源;田乙真;林圣翔;陳鵬宇 | 申請(專利權)人: | 弘塑科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 旋轉(zhuǎn)臺 底板 基板 基板處理裝置 基板保持部 中央鏤空部 液體通道 液體引導件 基板放置 基板旋轉(zhuǎn) 甩出 相隔 環(huán)繞 組裝 施加 外部 | ||
1.一種基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)臺,其特征在于,包含:
一基板保持部,用于保持一基板;
一底板,環(huán)繞所述基板保持部,且具有一中央鏤空部,其中所述基板放置在所述中央鏤空部的位置;以及
一液體引導件,組裝在所述底板上方,且與所述底板之間相隔一間距以形成一液體通道,其中當所述旋轉(zhuǎn)臺帶動所述基板旋轉(zhuǎn)時,施加在所述基板上而從所述基板甩出的液體,其通過所述液體通道流至所述旋轉(zhuǎn)臺的外部。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)臺,其特征在于,從所述基板保持部的中心點到所述底板的外邊緣上任一點的距離相等。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)臺,其特征在于,所述液體引導件包含相對的一第一側(cè)邊和一第二側(cè)邊,所述第一側(cè)邊與所述基板相鄰,且形狀與相鄰的所述基板的外廓互補,以及所述第二側(cè)邊與位在下方的所述底板的外邊緣對齊。
4.如權利要求3所述的基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)臺,其特征在于,所述第一側(cè)邊為一斜面,且所述斜面面對所述基板,如此所述基板旋轉(zhuǎn)時向上飛濺的所述液體會通過所述斜面的阻擋而被引導至所述液體通道內(nèi)。
5.如權利要求3所述的基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)臺,其特征在于,所述液體引導件在所述第二側(cè)邊處包含一檔止部。
6.如權利要求1所述的基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)臺,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)臺還包含一框架,且所述基板保持部連接在所述框架的中央,以及所述底板連接在所述框架的外周圍。
7.如權利要求1所述的基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)臺,其特征在于,所述液體引導件為多件式組合而成的結構。
8.如權利要求1所述的基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)臺,其特征在于,所述液體引導件為一件式結構。
9.如權利要求1所述的基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)臺,其特征在于,所述中央鏤空部具有一長方形的形狀。
10.如權利要求9所述的基板處理裝置的旋轉(zhuǎn)臺,其特征在于,所述中央鏤空部具有一正方形的形狀。
11.一種基板處理裝置,其特征在于,包括:
如權利要求1至10中任一項所述的旋轉(zhuǎn)臺;
一驅(qū)動單元,與所述旋轉(zhuǎn)臺電性連接,用于驅(qū)使所述旋轉(zhuǎn)臺轉(zhuǎn)動;以及
一回收環(huán),環(huán)繞地設置在所述旋轉(zhuǎn)臺的周圍,并且與所述液體通道的出口對準,用于收集從所述基板甩出的所述液體。
12.如權利要求11所述的基板處理裝置,其中所述底板在靠近所述回收環(huán)處包含向下傾斜斜面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





