[發明專利]半導體結構、發光裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201810020628.6
• 申請日: 2018-01-09
• 公開（公告）號: CN109860157A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 徐瑞美
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L25/04
• 分類號: H01L25/04;H01L27/32;H01L51/56;H01L21/64
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 呂雁葭

本發明公開了一種半導體結構、發光裝置及其制造方法。發光裝置包括一發光二極管及一導電膜。導電膜含有量子點并配置在發光二極管上。

技術領域

本發明是有關于一種半導體結構及其制造方法，且特別是有關于一種發光裝置及其制造方法。

背景技術

隨著半導體技術的進步，許多組件的體積逐漸往小型化發展。舉例來說，近幾年來更陸續推出各種微顯示器(Micro-display)技術。其中，由于發光二極管(Light-EmittingDiode，LED)制作尺寸上的突破，目前將發光二極管以數組排列制作的微發光二極管(micro-LED)顯示器在市場上逐漸受到重視。微發光二極管顯示器屬于主動式發光組件顯示器，其除了在對比度及能耗方面不遜于有機發光二極管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)顯示器外，在可靠性及壽命亦占據絕對優勢。因此，微發光二極管顯示器有極大潛力成為未來行動通信電子與物聯網(Internet of Things，IoT)應用穿戴式電子的主流顯示器技術。然而，目前微發光二極管巨量轉移仍有需要克服改進的問題。

發明內容

本發明是有關于一種半導體結構及其制造方法。

根據本發明的一實施例，提出了一種半導體結構的制造方法。制造方法包括以下步驟。組件黏著步驟，包括將一半導體組件黏著至一透光襯底的一第一表面上。組件轉移步驟，包括在半導體組件完全以一空隙隔離一受體襯底的狀況下，對透光襯底的相對于第一表面的一第二表面進行一照光步驟，以在透光襯底與半導體組件之間產生一汽化反應。汽化反應使得半導體組件從透光襯底推離，然后轉移穿過空隙而至受體襯底上。

根據本發明的另一實施例，提出了一種半導體結構的制造方法。制造方法包括以下步驟。一組件黏著步驟，其包括將一含量子點的黏著層黏著至一透光襯底的一第一表面上。含量子點的黏著層具有導電性質。一組件轉移步驟，其包括對透光襯底的相對于第一表面的一第二表面進行一照光步驟，以在透光襯底與含量子點的黏著層之間產生一汽化反應。汽化反應使得含量子點的黏著層從透光襯底推離而轉移至受體襯底上。

根據本發明的又一實施例，提出一種發光裝置。發光裝置包括一發光二極管及一導電膜。導電膜含有量子點，并配置在發光二極管上，其中導電膜是用作發光二極管的電極層。

附圖說明

圖1A至圖1D示意性示出第一實施例的概念的半導體結構的制造方法。

圖2A與圖2B示意性示出第二實施例的概念的半導體結構的制造方法。

圖3示意性示出根據第三實施例的概念的半導體結構的制造方法。

圖4示意性示出根據第四實施例的概念的半導體結構的制造方法。

圖5示意性示出根據第五實施例的概念的半導體結構的制造方法。

圖6示意性示出根據第六實施例的概念的半導體結構的制造方法。

圖7示意性示出根據第七實施例的概念的半導體結構的制造方法。

圖8A與圖8B示意性示出根據第八實施例的概念的半導體結構的制造方法。

圖9A與圖9B示意性示出第九實施例的概念的半導體結構的制造方法；

符號說明：

102：供體襯底

104、104A、104B：透光襯底

106、106A、106B：半導體組件

107：第一表面

108、208、308、408、508、608、708：可吸光汽化黏著層

109：第二表面