[發明專利]半導體結構、發光裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201810020628.6
• 申請日: 2018-01-09
• 公開（公告）號: CN109860157A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 徐瑞美
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L25/04
• 分類號: H01L25/04;H01L27/32;H01L51/56;H01L21/64
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 呂雁葭

1.一種半導體結構的制造方法，包括：

一組件黏著步驟，包括將一半導體組件黏著至一透光襯底的一第一表面上；

一組件轉移步驟，包括在該半導體組件完全以一空隙隔離一受體襯底的狀況下，對該透光襯底進行一照光步驟，以在該透光襯底與該半導體組件的間產生一汽化反應，其中該汽化反應使得該半導體組件從該透光襯底推離，然后轉移穿過該空隙而至該受體襯底上。

2.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中該半導體組件包括一半導體發光組件、一含量子點的黏著層、或上述兩者的組合，其中該含量子點的黏著層具有導電性質或非導電性質。

3.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中該半導體組件包括一含量子點的黏著層，該制造方法還包括在該受體襯底上配置一發光二極管，其中該組件轉移步驟使得該含量子點的黏著層從該透光襯底推離，然后轉移穿過該空隙而至該發光二極管上。

4.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中該照光步驟使用一激光光源。

5.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，還包括：

一組件形成步驟，包括在一供體襯底上形成該半導體組件，其中該組件黏著步驟包括將該半導體組件從該供體襯底黏著轉移至該透光襯底。

6.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中該組件黏著步驟包括利用一可吸光汽化黏著層黏著該半導體組件與該透光襯底，且該照光步驟使得該可吸光汽化黏著層發生該汽化反應。

7.如權利要求6所述的半導體結構的制造方法，其中該組件轉移步驟包括同時將該可吸光汽化黏著層與該半導體組件一起從該透光襯底轉移至該受體襯底。

8.如權利要求6所述的半導體結構的制造方法，其中該可吸光汽化黏著層是單一層膜或多層膜。

9.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中在該組件轉移步驟之前，該制造方法包括：

配置一黏著層于該透光襯底的該第一表面上；及

配置一光吸收層在該黏著層與該半導體組件之間，且該光吸收層重疊于該半導體組件。

10.如權利要求9所述的半導體結構的制造方法，其中該照光步驟使得該光吸收層產生熱能以汽化該黏著層鄰接該光吸收層的部分。

11.如權利要求9所述的半導體結構的制造方法，還包括在配置該黏著層之前，配置一可汽化層于該透光襯底的該第一表面上，該照光步驟使得該光吸收層產生熱能，并汽化該可汽化層鄰接該光吸收層的部分。

12.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中該組件轉移步驟中，僅對該透光襯底的部分區域進行該照光步驟，以將該透光襯底上的該半導體組件中的一部分轉移至該受體襯底上。

13.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，還包括在該照光步驟之前，配置一屏蔽層在該透光襯底相對于該第一表面的一第二表面上。

14.一種半導體結構的制造方法，包括：

一組件黏著步驟，包括將一含量子點的黏著層黏著至一透光襯底的一第一表面上，其中該含量子點的黏著層具有導電性質；

一組件轉移步驟，包括對該透光襯底進行一照光步驟，以在該透光襯底與該含量子點的黏著層之間產生一汽化反應，該汽化反應使得該含量子點的黏著層從該透光襯底推離而轉移至該受體襯底上。

15.如權利要求14所述的半導體結構的制造方法，還包括于該受體襯底上配置一發光二極管，其中該組件轉移步驟使得該含量子點的黏著層從該透光襯底推離而轉移至該發光二極管上。