[發明專利]一種通孔結構及其方法有效
| 申請號： | 201810020289.1 | 申請日： | 2018-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN110021553B | 公開（公告）日： | 2021-12-14 |
| 發明（設計）人： | 王詩男 | 申請（專利權）人： | 上海新微技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/288;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 劉元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 結構 及其 方法 | ||
1.一種通孔結構的制造方法，包括：
在基板中形成通孔，所述通孔貫通第一面和所述第一面相對的第二面；
將形成了所述通孔的所述基板的所述第一面與形成在襯底之上的種子層緊密接觸；
以自底至上的電鍍方式從所述基板的所述第一面一側開始向所述基板的所述通孔內部填充第一導電體，所述第一導電體填充所述通孔的一部分；
在所述基板的所述第二面一側形成導電薄膜，該導電薄膜與所述第一導電體的位于所述通孔內的上表面連接并且至少部分地覆蓋所述通孔未被所述第一導電體填充部分的側壁；
以保形電鍍方式以上述導電薄膜為起點向所述通孔內部填充第二導電體，直至所述通孔被所述第一導電體和所述第二導電體充滿；以及
將所述基板與所述襯底和所述種子層分離，使所述第一導電體的下表面與所述第一面齊平，并從所述第一面露出。
2.如權利要求1所述的通孔結構的制造方法，其中，所述第一導電體與所述第二導電體的材料相同。
3.如權利要求1所述的通孔結構的制造方法，其中，所述導電薄膜與所述第一導電體的材料相同。
4.如權利要求1-3中任一項所述的通孔結構的制造方法，其中，所述第一導電體的上表面與所述基板的所述第二面的距離不大于50微米。
5.權利要求1-3中任一項所述的通孔結構的制造方法，其中，所述第一導電體的所述上表面與所述基板的所述第二面的距離不大于所述通孔在所述第二面上的開口的尺寸。
6.一種通孔結構，根據權利要求1所述的通孔結構的制造方法制造而成，
所述通孔結構包括通孔以及所述通孔內部的填充物，其中，所述通孔貫通基板的第一面和與所述第一面相對的第二面，所述填充物包括：
第一導電體，其下表面與所述基板的所述第一面齊平，并從所述第一面露出；
第二導電體，其上表面與所述基板的所述第二面齊平，并從所述第二面露出；以及
導電薄膜，其連接所述第一導電體在所述通孔內的上表面和所述第二導電體在所述通孔內的下表面，所述導電薄膜還至少部分覆蓋所述第二導電體在所述通孔內部的側表面。
7.如權利要求6所述的通孔結構，其中，所述第一導電體與所述第二導電體的材料相同。
8.權利要求6所述的通孔結構，其中，所述導電薄膜與所述第一導電體的材料相同。
9.如權利要求6-8中任一項所述的通孔結構，其中，所述第一導電體的所述上表面與所述基板的所述第二面的距離不大于50微米。
10.如權利要求6-8中任一項所述的通孔結構，其中，所述第一導電體的所述上表面與所述基板的所述第二面的距離不大于所述通孔在所述第二面上的開口的尺寸。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海新微技術研發中心有限公司，未經上海新微技術研發中心有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810020289.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體器件的形成方法
- 下一篇：用于半導體器件的接觸插塞及其形成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
