[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810019276.2
• 申請(qǐng)日: 2014-10-09
• 公開（公告）號(hào): CN108054254B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳志凌;黃逸儒;羅玉云;黃靖恩;丁紹瀅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新世紀(jì)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/48
• 代理公司: 31100 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陳亮

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括一磊晶結(jié)構(gòu)、一N型電極墊、一P型電極墊以及一絕緣層。N型電極墊與P型電極墊相間隔地設(shè)置于磊晶結(jié)構(gòu)上，其中P型電極墊具有一第一上表面。絕緣層設(shè)置于磊晶結(jié)構(gòu)上且位于N型電極墊與P型電極墊之間，其中絕緣層具有一第二上表面。P型電極墊的第一上表面與絕緣層的第二上表面共平面。

本發(fā)明專利申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2014年10月9日，申請(qǐng)?zhí)枮?01410527562.1的名為“半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種可有效強(qiáng)化磊晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

目前，薄膜覆晶式發(fā)光二極管的制造方法是先在基板上形成磊晶結(jié)構(gòu)，然后在磊晶結(jié)構(gòu)上分別形成N型電極以及P型電極，而形成一半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步，將此半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)接合于承載座上，使得半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的N型電極與P型電極分別電性連接于承載座的N型接合墊與P型接合墊。最后，再以雷射剝離技術(shù)移除基板，而形成薄膜覆晶式發(fā)光二極管。然而，由于磊晶結(jié)構(gòu)為一薄層結(jié)構(gòu)，在以雷射剝離技術(shù)移除基板時(shí)，磊晶結(jié)構(gòu)經(jīng)常會(huì)因受應(yīng)力而破裂，使得薄膜覆晶式發(fā)光二極管的制造良率降低，進(jìn)而增加制造成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種可有效強(qiáng)化磊晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，以解決上述的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的一種技術(shù)方案是：提供一種半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一磊晶結(jié)構(gòu)、一N型電極墊、一P型電極墊以及一絕緣層。N型電極墊與P型電極墊相間隔地設(shè)置于磊晶結(jié)構(gòu)上，其中P型電極墊具有一第一上表面。絕緣層設(shè)置于磊晶結(jié)構(gòu)上且位于N型電極墊與P型電極墊之間，其中絕緣層具有一第二上表面。P型電極墊的第一上表面與絕緣層的第二上表面共平面。

其中，N型電極墊具有一第三上表面，其中P型電極墊的第一上表面、絕緣層的第二上表面與N型電極墊的部分第三上表面共平面。

其中，N型電極墊具有一第三上表面，其中P型電極墊的第一上表面、絕緣層的第二上表面與N型電極墊的第三上表面共平面。

其中，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一增高墊，設(shè)置于磊晶結(jié)構(gòu)上且位于N型電極墊與P型電極墊之間，其中絕緣層包覆增高墊。

其中，半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一基板，其中磊晶結(jié)構(gòu)形成于基板上。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的另一種技術(shù)方案是：提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括一承載座、一N型接合墊、一P型接合墊以及一如上所述的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)。N型接合墊與P型接合墊設(shè)置于承載座上，且N型接合墊與該P(yáng)型接合墊之間存在一凹槽。半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的N型電極墊電性連接于N型接合墊，且半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的P型電極墊電性連接于P型接合墊。

綜上所述，本發(fā)明是通過使P型電極墊的上表面與絕緣層的上表面共平面，來強(qiáng)化磊晶結(jié)構(gòu)。通過這種方式，在以雷射剝離技術(shù)移除基板時(shí)，即可有效避免磊晶結(jié)構(gòu)因受應(yīng)力而破裂。此外，本發(fā)明可使P型電極墊的上表面、絕緣層的上表面與N型電極墊的部分或全部上表面共平面，以進(jìn)一步強(qiáng)化磊晶結(jié)構(gòu)。再者，本發(fā)明可在磊晶結(jié)構(gòu)上設(shè)置增高墊且使絕緣層包覆增高墊，以在半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)成型后，確保P型電極墊的上表面與絕緣層的上表面共平面。

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)的示意圖；