[發明專利]半導體發光結構及半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201810019276.2
• 申請日: 2014-10-09
• 公開（公告）號: CN108054254B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 吳志凌;黃逸儒;羅玉云;黃靖恩;丁紹瀅
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48
• 代理公司: 31100 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種半導體發光結構，其特征在于，包括：

一磊晶結構；

一N型電極墊與一P型電極墊，相間隔地設置于所述磊晶結構上并分別與所述磊晶結構電性連接；

一金屬增高墊，設置于所述磊晶結構上并位于所述N型電極墊與所述P型電極墊之間，且所述金屬增高墊與所述N型電極墊和所述P型電極墊相間隔設置；以及

一絕緣層，設置于所述磊晶結構上且覆蓋所述金屬增高墊，所述N型電極墊與所述P型電極墊分別透過所述絕緣層上的孔洞與所述磊晶結構電性連接；

其中，所述絕緣層不突出于所述P型電極墊及所述N型電極墊的上表面。

2.根據權利要求1所述的半導體發光結構，其特征在于，所述絕緣層的一上表面與所述P型電極墊及所述N型電極墊的所述上表面實質上共平面。

3.根據權利要求1所述的半導體發光結構，其特征在于，所述金屬增高墊與所述磊晶結構電性連接。

4.根據權利要求1所述的半導體發光結構，其特征在于，還包括一基板，所述磊晶結構形成于所述基板上。

5.一種半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構包括：

一承載座；

一N型接合墊與一P型接合墊，設置于所述承載座上，所述N型接合墊與所述P型接合墊之間存在一凹槽；以及

一根據權利要求1至4中任一項所述的半導體發光結構，所述N型電極墊電性連接于所述N型接合墊，且所述P型電極墊電性連接于所述P型接合墊。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括一絕緣材料，填充于所述凹槽內。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣材料接觸所述絕緣層。

8.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括一波長轉換體，包覆所述半導體發光結構且暴露所述半導體發光結構與所述承載座連接的表面。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述的半導體封裝結構還包括一平坦的側表面，所述平坦的側表面包含所述波長轉換體。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述平坦的側表面還包含所述承載座。