[發明專利]薄膜形成裝置

在審

• 申請號: 201810017716.0
• 申請日: 2018-01-09
• 公開（公告）號: CN108570660A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 郭東周;姜京佑;金剛熙
• 申請（專利權）人: HB技術有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/48
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所 11399
• 代理人: 朱健;陳國軍

本發明涉及一種薄膜形成裝置，其通過將源氣體供給至基板的表面上，并將激光束照射至被供給的源氣體，并借助與激光束產生反應的源氣體在基板上形成薄膜，以修補基板的缺陷，其特征在于，所述基板的上部具備有腔室單元；所述腔室單元上形成有用于滯留源氣體的氣體滯留空間部，及用于覆蓋所述氣體滯留空間部的上端開口部的窗口，以使激光束從所述窗口的上部照射；用于供給及排放氣體的多個管道連接于所述腔室單元的內部。

技術領域

本發明涉及一種薄膜形成裝置，更具體地，涉及一種用于修補如光掩模(photomask)、LCD及OLED的TFT配線等的具備平面圖案結構的基板的缺陷的薄膜形成裝置。

背景技術

激光化學氣相沉積(Laser assisted Chemical Vapor Deposition)法為，通過在基板上需要修補配線的部分的附近，供給源氣體(Source Gas)的同時，還在其基板上需要修補的部分同時照射激光束，以將通過激光束能源被激活的源氣體作為膜，通過在修補部分沉積(deposition)成膜，而修補基板上的配線。

這種激光化學氣相沉積(Laser assisted Chemical Vapor Deposition)法記載于大韓民國注冊專利第10-0381940號。

但是，當通過飽和蒸氣壓曲線而保持一定溫度的源氣體碰觸到常溫的基板時，源氣體會因基板的低溫而丟失熱能，如此一來，源氣體無法完滿地實現分解，而導致生成如圖1所示的，因不規則的結晶化形成的固體化的異物質。

即，將源氣體供給至基板表面時，在并未照射到激光束的部分上也會因源氣體和基板的溫度差而出現源氣體的再結晶化，而通過再結晶化所生成的異物質將會成為配線的缺陷部分，從而，降低基板的品質。

現有技術文獻

【專利文獻】

(專利文獻1)大韓民國注冊專利10-0381940號

發明內容

本發明為了解決上述所述的技術問題，提供一種薄膜形成裝置，其目的在于，供給源氣體時，通過對源氣體進行誘導，使得源氣體具有朝向氣體滯留空間部流動的方向性，以形成沉積環境，并且具備熱風供給裝置，以對基板的加工部位進行局部加熱。

但是，本發明所要解決的問題并不局限于以上描述的問題，本發明所屬技術領域的普通技術人員可根據以下的記載內容明確地理解未予以描述的其他目的。

為了解決上述所述的問題，本發明提供一種薄膜形成裝置，其通過將源氣體供給至基板的表面上，并將激光束照射至被供給的源氣體，并借助與激光束產生反應的源氣體在基板上形成薄膜，以修補基板的缺陷，其特征在于，所述基板的上部具備有腔室單元；所述腔室單元上形成有：用于滯留源氣體的氣體滯留空間部、用于覆蓋所述氣體滯留空間部的上端開口部的窗口，其中，激光束從所述窗口的上部照射；用于供給及排放氣體的多個管道連接于所述腔室單元的內部。

另外，所述腔室單元形成有：源氣體供給裝置，其從所述氣體滯留空間部的一側供給源氣體；熱風供給裝置，其用于供給加熱氣體，以對加工部分周邊部的基板進行局部加熱；排氣裝置，其用于排放從所述氣體滯留空間部所排出的源氣體及加熱氣體。

而且，所述腔室單元的內部形成有多個內部通道，以使所述源氣體供給裝置、熱風供給裝置及排氣裝置分別連接并連通于所述管道上。

另外，所述源氣體供給裝置構成為，所述氣體滯留空間部上形成有源氣體導入口，以供源氣體從氣體滯留空間部的側面噴出，所述熱風供給裝置構成為，所述腔室單元的底面形成有多個熱風口，所述多個熱風口以所述氣體滯留空間部的底端開口部為中心，呈放射性形狀形成。

另外，所述排氣裝置構成為，包括：第一排氣口，其形成于所述氣體滯留空間部的底端開口部和所述熱風口之間；第二排氣口，其以所述氣體滯留空間部的底端開口部為基準，形成于所述熱風口的外側；