[發(fā)明專利]一種用于異形晶片的承載裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810016580.1
• 申請(qǐng)日: 2018-01-08
• 公開（公告）號(hào): CN107993968A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊丹丹;徐永寬;徐世海;孫雪蓮;竇瑛;李強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
• 主分類號(hào): H01L21/673
• 分類號(hào): H01L21/673;H01L21/687
• 代理公司: 天津中環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司12105
• 代理人: 王鳳英

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，尤其是涉及一種用于異形晶片的承載裝置。

背景技術(shù)

科學(xué)技術(shù)的發(fā)展迅速，帶動(dòng)著基礎(chǔ)材料研究的更新?lián)Q代。在電子元器件領(lǐng)域采用的基礎(chǔ)材料也迅猛發(fā)展，新興大量的性能優(yōu)良、應(yīng)用前景廣闊的新型晶體材料，涵蓋微電子材料、光電子材料等領(lǐng)域，代表性有氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）、氧化鎵（Ga₂O₃）、金剛石、銻化鎵（GaSb）、硫化鎘（CdS）、硒化鎘（CdSe）、DAST等材料，這些材料通過(guò)生長(zhǎng)出晶體，再進(jìn)行切割、研磨、拋光、清洗、烘干等工序處理形成可以應(yīng)用的襯底晶片。通常情況下，電子元器件采用的成熟襯底晶片的標(biāo)準(zhǔn)尺寸為圓形，經(jīng)過(guò)下游多工序工藝操作制作出滿足性能要求的器件產(chǎn)品。但是對(duì)于新型材料，處于研發(fā)階段，標(biāo)準(zhǔn)尺寸產(chǎn)品較少，會(huì)涉及較多異形不同規(guī)格的樣品，通常以方形、半圓形、對(duì)稱多邊形等多見。目前，此類異形產(chǎn)品處于實(shí)驗(yàn)室階段，加工或工藝處理過(guò)程中多借助標(biāo)準(zhǔn)晶片的承載裝置或者人為手動(dòng)操作，很容易造成裝置不合適、動(dòng)作不規(guī)范等導(dǎo)致的樣品破壞，或者逐一操作過(guò)程中效率低，或者在特定危險(xiǎn)（例如腐蝕處理）工序環(huán)節(jié)對(duì)人的危險(xiǎn)性大。因此，需要研發(fā)一種可承載異形晶片的裝置。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種用于異形晶片的承載裝置。

本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：一種用于異形晶片的承載裝置，其特征在于，所述承載裝置包括連接桿、兩側(cè)側(cè)板、兩側(cè)提欄和兩根支桿，其中通過(guò)兩根連接桿連接固定兩塊側(cè)板的底部，通過(guò)一根連接桿連接固定兩側(cè)提欄的上端，兩側(cè)提欄的下端分別固定在兩側(cè)側(cè)板上；兩側(cè)側(cè)板上設(shè)有用于調(diào)節(jié)兩根支桿間距，承載不同尺寸晶片的側(cè)板軌道，兩根支桿兩端分別固定在側(cè)板軌道上；兩側(cè)側(cè)板上還設(shè)有用于精確控制晶片腐蝕區(qū)域的側(cè)板垂直刻度以及用于精確調(diào)整支桿間距的側(cè)板水平刻度，兩根支桿上分別刻有若干個(gè)用于承載待腐蝕晶片的凹槽。

本發(fā)明的有益效果是：采用本發(fā)明能夠在最少程度破壞樣品的條件下，安全的承載樣品，可多片擺放，提高效率；可實(shí)現(xiàn)多規(guī)格擺放，一物多用節(jié)約資源。本設(shè)計(jì)的承載裝置可以靈活調(diào)整，適應(yīng)不同尺寸的非標(biāo)產(chǎn)品擺放，也可以應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品擺放，同時(shí)帶有刻度，可以精確控制樣品擺放位置以及必要時(shí)對(duì)樣品擺放上下暴露面積的控制。采用該裝置進(jìn)行的晶片清洗、腐蝕、烘干等操作可以實(shí)現(xiàn)多片統(tǒng)一處理，提高工作效率、操作規(guī)范性、降低操作風(fēng)險(xiǎn)、減少樣品破壞面積。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的承載裝置結(jié)構(gòu)立體示意圖；

圖2為實(shí)施例中擺放晶片的承載裝置示意圖；

圖3為圖1中連接桿結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖1中側(cè)板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖1中提籃結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為圖1中支桿結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為定位邊制作示意圖；

圖8為實(shí)施例中正方形定位邊制作示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明：

參照?qǐng)D1至圖6，本裝置是用于對(duì)具有極性的異形晶片的極性面進(jìn)行判定的承載裝置，包括連接桿1、兩側(cè)側(cè)板2、兩側(cè)提欄3和兩根支桿4，其中通過(guò)兩根連接桿1連接固定兩側(cè)側(cè)板2的底部，通過(guò)一根連接桿1連接固定兩側(cè)提欄3的上端，兩側(cè)提欄3的下端分別固定在兩側(cè)側(cè)板2上；兩側(cè)側(cè)板2上設(shè)有用于調(diào)節(jié)兩根支桿4間距，承載不同尺寸晶片的側(cè)板軌道2-1，兩根支桿4兩端通過(guò)螺栓分別固定在側(cè)板軌道2-1上；兩側(cè)側(cè)板2的外側(cè)面還設(shè)有用于精確控制晶片腐蝕區(qū)域的側(cè)板垂直刻度2-2以及用于精確調(diào)整支桿4間距的側(cè)板水平刻度2-3，兩根支桿4上分別刻有若干個(gè)用于承載待腐蝕晶片的凹槽4-1。

本承載裝置除可用于擺放待分辨定位邊晶片樣品進(jìn)行腐蝕外，因?yàn)閹в锌删_調(diào)整的刻度，還可以用于其他規(guī)格的樣品或者其他工序操作時(shí)樣品的承載，例如清洗、干燥等。

采用本裝置對(duì)具有極性的異形晶片的極性面進(jìn)行判定方法是：將若干片待腐蝕的晶片垂直擺放在用于極性面判定的承載裝置上，將承載裝置放置在裝有腐蝕液的容器內(nèi)進(jìn)行腐蝕，腐蝕后將承載裝置取出，觀察晶片被腐蝕區(qū)域的形貌，進(jìn)行極性面判定，最后進(jìn)行定位邊切割，以定位邊的切割位置作為判定極性面的標(biāo)識(shí)。

實(shí)施例：參照?qǐng)D1至圖8，采用本裝置對(duì)具有極性的正方形硫化鎘（CdS）晶片極性面進(jìn)行判定的方法具體步驟如下：

（1）將CdS晶錠放置在切割機(jī)上進(jìn)行圓片或大面積樣片切割，切割厚度控制在600-700μm；

（2）將圓片/大面積樣片切割成15㎜х15㎜的方片，切割誤差±0.5mm；